[发明专利]形成微电子装置的方法以及相关微电子装置、存储器装置和电子系统

权利要求书

1.一种微电子装置，其包括：

第一导电结构，其在第一介电结构中的第一填充开口内；

阻挡结构，其在所述第一介电结构中的所述第一填充开口内且竖直地上覆所述第一导电结构；

导电衬里结构，其在所述阻挡结构上且在竖直地上覆所述第一介电结构的第二介电结构中的第二填充开口内；和

第二导电结构，其竖直地上覆所述第二介电结构中的所述第二填充开口内的所述导电衬里结构且水平地由所述第二介电结构中的所述第二填充开口内的所述导电衬里结构环绕。

2.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述阻挡结构从所述第一导电结构的上部表面和所述导电衬里结构的下部表面竖直地延伸且在所述第一导电结构的上部表面与所述导电衬里结构的下部表面之间。

3.根据权利要求2所述的微电子装置，其中：

所述导电衬里结构从所述阻挡结构的上部表面和所述第二导电结构的下部表面竖直地延伸且在所述阻挡结构的上部表面与所述第二导电结构的下部表面之间；且

所述导电衬里结构从所述第二导电结构的至少一个侧表面和所述第二介电结构的至少一个侧表面水平地延伸且在所述第二导电结构的至少一个侧表面与所述第二介电结构的至少一个侧表面之间。

4.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述阻挡结构大体上约束于所述第一填充开口的水平边界和竖直边界内。

5.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的微电子装置，其中所述导电衬里结构的至少大部分包括贝塔(beta)相钨。

6.根据权利要求5所述的微电子装置，其中所述第二导电结构的至少大部分包括阿尔法(alpha)相钨。

7.根据权利要求6所述的微电子装置，其中所述第二导电结构的粒度大体上与所述导电衬里结构的粒度相同。

8.根据权利要求5所述的微电子装置，其中所述阻挡结构包括氮化钛、氮化钽和氮化钨中的一或多种。

9.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的微电子装置，其中所述第二导电结构具有约5:1到约100:1的范围内的纵横比。

10.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的微电子装置，其中所述第二填充开口的水平区域小于或等于所述第一填充开口的水平区域。

11.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的微电子装置，其中所述第二导电结构的水平中心与所述第一导电结构的水平中心大体上对准。

12.一种形成微电子装置的方法，其包括：

在第一介电结构中的第一开口内形成第一导电结构；

在所述第一开口内和所述第一导电结构上方形成阻挡结构；

在所述阻挡结构和所述第一介电结构上方形成第二介电结构；

在所述第二介电结构中形成第二开口以暴露所述阻挡结构的上部表面；

在所述第二介电结构中的所述第二开口内形成导电衬里结构，所述导电衬里结构部分地填充所述第二开口且与所述阻挡结构的所述上部表面和所述第二介电结构的至少一个侧表面接触；和

在形成所述导电衬里结构之后，形成第二导电结构以填充所述第二介电结构中的所述第二开口内的其余空间。

13.根据权利要求12所述的方法，其中在所述第一开口内和所述第一导电结构上方形成阻挡结构包括：

使所述第一开口内的所述第一导电结构的上部表面凹进以形成上覆所述第一导电结构的沟槽；和

用阻挡材料填充所述沟槽以形成所述阻挡结构，所述阻挡结构大体上约束于所述沟槽的水平边界和竖直边界内。

14.根据权利要求13所述的方法，其中用阻挡材料填充所述沟槽包括用氮化钛填充所述沟槽。