[发明专利]多层陶瓷电容器

权利要求书

1.一种多层陶瓷电容器，包括：

陶瓷主体，具有彼此背对的第一表面和第二表面以及将所述第一表面和所述第二表面彼此连接的第三表面和第四表面；

多个内电极，设置在所述陶瓷主体中，暴露到所述第一表面和所述第二表面，并各自具有暴露到所述第三表面或所述第四表面的一端；以及

第一侧部边缘部分和第二侧部边缘部分，设置在所述第一表面和所述第二表面上，并覆盖所述内电极的暴露的表面，

所述第一侧部边缘部分和所述第二侧部边缘部分包含作为主要成分的钛酸钡基基体材料以及作为辅助成分的镁、锰和铝，并且

基于所述第一侧部边缘部分和所述第二侧部边缘部分中的锰、镁和铝的摩尔含量，锰与镁、锰和铝的含量比满足0.316≤Mn/(Mn+Mg+Al)≤0.500。

2.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，基于100mol的作为主要成分的所述基体材料，镁的含量满足0.75mol≤Mg≤2.10mol。

3.根据权利要求1或2所述的多层陶瓷电容器，其中，基于100mol的作为主要成分的所述基体材料，锰的含量满足0.6mol≤Mn≤2.0mol。

4.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，所述辅助成分包括钠和锂，并且基于100mol的作为主要成分的所述基体材料，钠和锂的含量分别满足0.5mol≤Na≤1.5mol和0.5mol≤Li≤1.5mol。

5.根据权利要求4所述的多层陶瓷电容器，其中，所述辅助成分包括硅，并且基于所述第一侧部边缘部分和所述第二侧部边缘部分中的钠和硅的摩尔含量，硅与钠的含量比满足0.68≤Si/(Na+Si)≤0.87，并且基于所述第一侧部边缘部分和所述第二侧部边缘部分中的锂和硅的摩尔含量，硅与锂的含量比满足0.68≤Si/(Li+Si)≤0.87。

6.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，所述辅助成分包括第一辅助成分、第二辅助成分和第三辅助成分中的至少一种，其中，所述第一辅助成分为包含Y、Dy、Ho、Er、Gd、Ce、Nd、Sm、La、Tb、Yb和Pr中的至少一种的氧化物或碳酸盐；所述第二辅助成分为包含Ba的氧化物或碳酸盐；并且所述第三辅助成分包含含有Si和Al中的至少一种的氧化物或碳酸盐以及含有Si的玻璃化合物中的至少一种。

7.根据权利要求6所述的多层陶瓷电容器，其中，基于100mol的作为主要成分的所述基体材料，所述第一辅助成分的含量为0.0mol至4.0mol；基于100mol的作为主要成分的所述基体材料，所述第二辅助成分的含量为0.0mol至5.0mol；并且基于100mol的作为主要成分的所述基体材料，所述第三辅助成分的含量为0.0mol至5.0mol。

8.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，所述第一侧部边缘部分和所述第二侧部边缘部分具有18μm或更小的平均厚度。

9.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，所述内电极包括：第一内电极，具有暴露到所述第三表面的一端和设置为与所述第四表面分开预定间隔的另一端；以及第二内电极，具有暴露到所述第四表面的一端和设置为与所述第三表面分开所述预定间隔的另一端。