[发明专利]一种薄膜刻蚀方法在审
申请号: | 202110268836.X | 申请日: | 2021-03-12 |
公开(公告)号: | CN113161236A | 公开(公告)日: | 2021-07-23 |
发明(设计)人: | 黄立;马占锋;汪超;王春水;高健飞;黄晟 | 申请(专利权)人: | 武汉高芯科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/3213 | 分类号: | H01L21/3213 |
代理公司: | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人: | 张涛 |
地址: | 430205 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 薄膜 刻蚀 方法 | ||
本发明涉及薄膜刻蚀技术领域,提供了一种薄膜刻蚀方法,用于多层金属薄膜的刻蚀,包括如下步骤:S1,先采用第一层光罩通过刻蚀工艺对第一层的薄膜进行刻蚀;S2,再采用尺寸大于第一层光罩的第二层光罩通过刻蚀工艺对第二层的薄膜进行刻蚀;S3,重复所述S2步骤,接着依次往下刻蚀第三层的薄膜至第N层的薄膜;S4,最后对中间层剩余的薄膜再次进行刻蚀,得到稳定的结构,该稳定的结构包括完好的底层的薄膜以及底层以上的各层薄膜的侧壁近乎垂直,所述中间层为除第一层的薄膜和底层的薄膜以外的各层的薄膜。本发明既可以避免干法刻蚀无法停留在薄钛薄膜上的问题,同时也可以避免湿法刻蚀侧向腐蚀太多而不利于后续工艺的继续和整个结构的稳定性。
技术领域
本发明涉及薄膜刻蚀技术领域,具体为一种薄膜刻蚀方法。
背景技术
传统的干法刻蚀,为了保证最上面俩层结构能够完全刻蚀干净,势必需要加足够的过刻蚀才能完全保证上俩层的金属薄膜不会有残留,但是一旦加过刻蚀,由于所有的薄膜都是金属,相互之间的刻蚀选择比又相对较低,这样底层的结构将会被损伤,甚至会将底层的薄金属完全或部分刻蚀掉,达不到我们结构的要求。如果顶层金属用干法刻蚀而中间层结构用传统的湿法腐蚀,由于传统的湿法刻蚀是各向同性腐蚀,所以侧壁同时会被湿法腐蚀掉,同时为了保证中间层金属能够完全被腐蚀,势必也要加足够的过刻蚀才能完成,这样整个结构就会变成上层比较大而中间层比较小的一个蘑菇状结构,这样的结构既不利于结构的稳定性,同时又不利于后续工艺的继续。
发明内容
本发明的目的在于提供一种薄膜刻蚀方法,通过多层光罩配合刻蚀工艺可以避免干法刻蚀无法停留在薄钛薄膜上的问题,同时也可以避免湿法刻蚀侧向腐蚀太多而不利于后续工艺的继续和整个结构的稳定性。
为实现上述目的,本发明实施例提供如下技术方案:一种薄膜刻蚀方法,用于多层金属薄膜的刻蚀,包括如下步骤:
S1,先采用第一层光罩通过刻蚀工艺对第一层的薄膜进行刻蚀,并刻蚀至停留在第二层的薄膜的表面上;
S2,再采用尺寸大于所述第一层光罩的第二层光罩通过刻蚀工艺对所述第二层的薄膜进行刻蚀,并刻蚀至所述第二层薄膜的一半厚度处,此时所述第一层的薄膜和所述第二层的薄膜形成台阶结构;
S3,重复所述S2步骤,接着依次往下刻蚀第三层的薄膜至第N层的薄膜,在每下一层的薄膜的刻蚀中均采用比上一层的薄膜的刻蚀中采用的光罩的尺寸大,且均刻蚀至当前刻蚀的薄膜的一半厚度处,且被刻蚀的当前层的薄膜与其上一层的薄膜均形成台阶结构;
S4,最后对中间层剩余的薄膜再次进行刻蚀,得到稳定的结构,该稳定的结构包括完好的底层的薄膜以及底层以上的各层薄膜的侧壁近乎垂直,所述中间层为除第一层的薄膜和底层的薄膜以外的各层的薄膜。
进一步,所述刻蚀工艺包括干法刻蚀和湿法刻蚀,在所述S1步骤、S2步骤以及S3步骤中,采用的刻蚀工艺为干法刻蚀;在所述S4步骤中,采用的刻蚀工艺为湿法刻蚀。
进一步,在所述S2步骤中,第二层光罩的大小为所述第一层光罩加上第二层的薄膜厚度的一半。
进一步,从第一层的薄膜至最底层的薄膜,各层薄膜的厚度依次变薄。
进一步,多层金属薄膜为三层金属薄膜,第一层的薄膜和第二层的薄膜均为钛薄膜,第二层的薄膜为铝薄膜,第一层的薄膜的厚度大于第三层的薄膜的厚度。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:一种薄膜刻蚀方法,通过用一层光罩以方便干法刻蚀掉上层的厚钛薄膜,然后用第二层尺寸稍大于第一层光罩的光罩以干法刻蚀掉一半的中部的铝薄膜,剩余的铝薄膜通过湿法刻蚀完全去除,以达到只剩余底部的薄钛薄膜,这种方法既可以避免干法刻蚀无法停留在薄钛薄膜上的问题,同时也可以避免湿法刻蚀侧向腐蚀太多而不利于后续工艺的继续和整个结构的稳定性。
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种薄膜刻蚀方法的金属薄膜的结构示意图;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉高芯科技有限公司,未经武汉高芯科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110268836.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造