[发明专利]在交叉点存储器阵列中形成选择器的亚阈值电压

权利要求书

1.一种装置，所述装置包括：

交叉点存储器阵列，所述交叉点存储器阵列包括多个存储节点，每个存储节点包括与阈值开关选择器串联的存储器单元；和

控制电路，所述控制电路连接到所述交叉点存储器阵列，所述控制电路被配置为施加激励到所述多个存储节点，以将所述阈值开关选择器从具有初始阈值电压的初始状态转变到具有低于所述初始阈值电压的操作阈值电压的操作状态，所述控制电路同时选择多个存储节点，所述激励包括不超过所述初始阈值电压的形成电压，并且在用于形成所述多个存储节点的阈值开关选择器的指定时间段内施加所述激励。

2.根据权利要求1所述的装置，其中：

所述形成电压不超过所述操作阈值电压。

3.根据权利要求1所述的装置，其中：

在施加所述激励到先前所述多个存储节点之后，所述控制电路被配置为施加信号到所述多个存储节点中选择的存储节点，所述信号具有幅值高于所述操作阈值电压的电压以将所述选择的存储节点的阈值开关选择器从非导电状态切换到导电状态，并且具有切换所述选择的存储节点的选择的存储器单元的电阻的电流分布。

4.根据权利要求1所述的装置，其中：

所述指定时间段为至少一微秒。

5.根据权利要求1所述的装置，其中：

所述指定时间段为至少一毫秒。

6.根据权利要求1所述的装置，其中：

所述指定时间段为至少一秒。

7.根据权利要求1所述的装置，其中：

所述控制电路被配置为施加所述激励到所述多个存储节点的不同子集，一次一个子集。

8.根据权利要求1所述的装置，其中：

所述多个存储节点被布置成多个行和多个列；并且

所述控制电路被配置为施加所述激励到所述行的不同子集，一次一个子集。

9.根据权利要求1所述的装置，其中：

所述多个存储节点被布置成多个行和多个列；并且

所述控制电路被配置为施加所述激励到所述列的不同子集，一次一个子集。

10.根据权利要求1所述的装置，其中：

所述多个存储节点被布置成多个电平；并且

所述控制电路被配置为施加所述激励到所述多个电平，一次一个电平。

11.根据权利要求1所述的装置，其中：

所述多个存储节点的所述阈值开关选择器包括硫属化物；

所述初始状态为所述硫属化物的第一非晶态；并且

所述操作状态为所述硫属化物的第二非晶态。

12.根据权利要求1所述的装置，其中：

所述多个存储节点的所述阈值开关选择器从所述初始状态到所述操作状态的转变在正常操作/存储条件下是不可逆的。

13.一种方法，所述方法包括：

在第一次启动存储器阵列中制造的阈值开关选择器中，其中所述阈值开关选择器与存储节点中的存储器单元串联，施加形成电压到所述阈值开关选择器，所述形成电压将所述阈值开关选择器的阈值电压从初始阈值电压降低到操作阈值电压，并且所述形成电压低于所述初始阈值电压；以及

在所述存储器单元的编程操作中，施加信号到所述存储节点，所述信号具有超过所述操作阈值电压的电压，并且提供处于导电状态的所述阈值开关选择器，以及切换所述存储器单元的电阻的电流分布。

14.根据权利要求13所述的方法，其中：

所述形成电压在正常操作/存储条件下将所述阈值开关选择器从具有所述初始阈值电压的第一非晶态不可逆地转换到具有所述操作阈值电压的第二非晶态。