[发明专利]在接合堆叠的微电子组件时的温度改变和相关衬底和组合件在审
申请号: | 202110269390.2 | 申请日: | 2021-03-12 |
公开(公告)号: | CN113410147A | 公开(公告)日: | 2021-09-17 |
发明(设计)人: | A·M·贝利斯;B·P·沃兹 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | H01L21/603 | 分类号: | H01L21/603;H01L23/488 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王艳娇 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 接合 堆叠 微电子 组件 温度 改变 相关 衬底 组合 | ||
1.一种热压接合工具,其包括:
接合台,其配置成用于在其上部表面上支撑衬底;
可移动接合头,其配置成用于通过包含加热装置的接合尖端向堆叠的微电子组件施加压力;以及
一或多个能量束产生器,其能够定位成选择性地将能量束朝向所述接合台的上部表面引导。
2.根据权利要求1所述的热压接合工具,其中所述一或多个能量束产生器由所述接合头承载且定向成选择性地将所述能量束竖直地朝向所述接合台引导。
3.根据权利要求1所述的热压接合工具,其中所述一或多个能量束产生器由能够独立于所述接合头移动的光束头承载,所述一或多个能量束产生器定向成选择性地将所述能量束竖直地朝向所述接合台引导。
4.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的热压接合工具,其中所述一或多个能量束产生器各自配置成引导呈激光束、离子束或电子束形式的能量束。
5.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的热压接合工具,其中所述一或多个能量束产生器各自配置成选择性地引导具有从约180nm到约400nm的波长范围的激光束。
6.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的热压接合工具,其中所述一或多个能量束产生器中的至少一个配置成在所述一或多个能量束产生器下方的所述接合台的所述上部表面的一部分上方使选择性地引导的能量束线性地扫描。
7.一种热压接合的方法,其包括:
将承载相互横向间隔开的微电子装置堆叠的衬底放置在热压接合工具的接合台上;
用一或多个能量束邻近于微电子装置堆叠加热所述衬底的上部表面;以及
紧接在所述加热所述衬底之后或与所述加热所述衬底同时,用所述热压接合工具的接合头向所述微电子装置堆叠施加热以及压力。
8.根据权利要求7所述的方法,其中放置承载相互横向间隔开的微电子装置堆叠的衬底进一步包括向所述衬底在其表面上提供至少接近所述相互横向间隔开的微电子装置堆叠中的每一个的位置的一或多个热传递结构,且加热所述衬底的所述上部表面包括至少接近所述微电子装置堆叠将一或多个能量束撞击在所述一或多个热传递结构上。
9.根据权利要求8所述的方法,其中向所述衬底提供至少接近所述微电子装置堆叠中的每一个的位置的一或多个热传递结构进一步包括向所述衬底提供一或多个金属热传递结构,所述一或多个金属热传递结构中的至少一个接近每一微电子装置堆叠的位置且在所述堆叠的占据面积下方延伸。
10.根据权利要求8或权利要求9所述的方法,其中将所述一或多个能量束撞击在所述一或多个热传递结构上进一步包括将激光束撞击在至少接近所述微电子装置堆叠的所述一或多个热传递结构上。
11.根据权利要求8或权利要求9所述的方法,其进一步包括在至少接近所述微电子装置堆叠的所述一或多个热传递结构中的至少一个的表面上方使所述一或多个能量束中的至少一个扫描。
12.根据权利要求8或权利要求9所述的方法,其进一步包括将所述一或多个能量束竖直地瞄准于所述微电子装置堆叠与邻近的微电子装置堆叠之间以撞击在所述热传递结构上。
13.根据权利要求8或权利要求9所述的方法,其进一步包括独立于用所述接合头向所述微电子装置堆叠施加热以及压力且在用所述接合头向所述微电子装置堆叠施加热以及压力之前,将所述一或多个能量束撞击在微电子装置堆叠的所述热传递结构上。
14.根据权利要求8或权利要求9所述的方法,其进一步包括至少部分地在用所述接合头向所述微电子装置堆叠施加热以及压力的时段内将所述一或多个能量束撞击在所述微电子装置堆叠的所述热传递结构上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造