[发明专利]一种相位翻转和静电加固保护电路有效
申请号: | 202110269532.5 | 申请日: | 2021-03-12 |
公开(公告)号: | CN113056076B | 公开(公告)日: | 2023-08-04 |
发明(设计)人: | 肖筱;党秋实;魏海龙;尤路;支知渊 | 申请(专利权)人: | 西安微电子技术研究所 |
主分类号: | H05F3/00 | 分类号: | H05F3/00;H03K19/003 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 朱海临 |
地址: | 710065 陕西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 相位 翻转 静电 加固 保护 电路 | ||
1.一种相位翻转和静电加固保护电路,其特征在于,包括电阻Rinx、电阻Riny、电阻Rin`、二极管D1、二极管D2、二极管D3、寄生电阻Rj1和寄生电阻Rj2;
所述电阻Riny的一端与运算放大器的正向输入端口INP相连,电阻Riny的另一端分别连接电阻Rinx的一端和寄生电阻Rj1的一端,寄生电阻Rj1的另一端与二极管D1一端相连,二极管D1的另一端连接至负电源;
所述电阻Rinx的另一端分别连接电阻Rin`的一端和寄生电阻Rj2的一端,寄生电阻Rj2的另一端连接二极管D2的一端,二极管D2的另一端连接至负电源;
所述电阻Rin`的另一端分别连接二极管D3的一端和运算放大器中的输入对管基极相连,二极管D3的另一端连接正电源;
所述电阻Riny的阻值小于电阻Rinx的阻值,所述电阻Rinx的阻值小于电阻Rin`的阻值。
2.根据权利要求1所述的一种相位翻转和静电加固保护电路,其特征在于,还包括三极管Q1、三极管Q2、三极管Q3、三极管Q4、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、尾电流源Issn和尾电流源Issp;
所述三极管Q1的基极连接三极管Q2的基极,三极管Q1的基极连接电阻Rin`的另一端;
所述三极管Q1的发射极和三极管Q4的发射极均连接尾电流源Issn的一端,尾电流源Issn的另一端连接至负电源;
所述三极管Q1的集电极连接电阻R1的一端,三极管Q4的集电极连接电阻R2的一端,所述电阻R1的另一端和电阻R2的另一端均连接正电源;
所述三极管Q3的基极连接三极管Q4的基极,三极管Q4的基极连接运算放大器的反向输入端口INN;
所述三极管Q2的发射极和三极管Q3的发射极与尾电流源Issp的一端连接,尾电流源Issp的另一端连接正电源;
所述三极管Q2的集电极连接电阻R3的一端、三极管Q3的集电极连接电阻R4的一端,电阻R3的另一端和电阻R4的另一端均与负电源连接。
3.根据权利要求1所述的一种相位翻转和静电加固保护电路,其特征在于,所述电阻Rinx、电阻Riny、电阻Rin`的阻值之和为总输入电阻。
4.根据权利要求1所述的一种相位翻转和静电加固保护电路,其特征在于,所述寄生电阻Rj1为二极管D1在版图结构中产生的N+接触电阻、外延层电阻、埋层电阻和衬底电阻。
5.根据权利要求1所述的一种相位翻转和静电加固保护电路,其特征在于,所述寄生电阻Rj2为二极管D2在版图结构中产生的N+接触电阻、外延层电阻、埋层电阻和衬底电阻。
6.根据权利要求1所述的一种相位翻转和静电加固保护电路,其特征在于,所述寄生电阻Rj1和寄生电阻Rj2的阻值相等。
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