[发明专利]一种高活性电化学自掺杂TiO2 有效
申请号: | 202110269722.7 | 申请日: | 2021-03-12 |
公开(公告)号: | CN113061923B | 公开(公告)日: | 2022-08-02 |
发明(设计)人: | 张延荣;潘鸿辉;孙明辉;汪晓光 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | C25B11/091 | 分类号: | C25B11/091;C25B3/26;C25B3/21;C25B3/03;B82Y30/00;B82Y40/00;C25D5/18;C25D5/54;C25D3/48;C25D3/50;C25D3/38;C25D3/46 |
代理公司: | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人: | 孙杨柳 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 活性 电化学 掺杂 tio base sub | ||
1.一种电化学自掺杂TiO2纳米管基材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)在三电极体系下,将TiO2纳米管作为工作电极,并施加还原电压,使TiO2电化学还原为Ti3+,从而在TiO2纳米管中引入Ti3+和氧空位缺陷,得到Ti3+掺杂在TiO2晶格中的自掺杂的TiO2纳米管;
(2)在三电极体系下,将步骤(1)得到的电化学自掺杂的TiO2纳米管作为工作电极,将金属前驱体置于电解质溶液中,所述金属前驱体在方波脉冲电压作用下,与所述Ti3+形成共价键,进而被还原为金属单质纳米颗粒并沉积在TiO2纳米管管壁上,以增加材料表面活性位点以及减小光生电子-空穴复合,得到电化学自掺杂TiO2纳米管基材料;
步骤(1)中还原电压为-1.2 V~-2.0 V,步骤(1)中还原时间为1 min~30 min;
所述金属前驱体为氯金酸、氯金酸钾或氯金酸钠;所述金属前驱体的浓度为2 mM~3mM;
步骤(1)中所述TiO2纳米管为锐钛矿型TiO2纳米管;
步骤(2)中所述方波脉冲电压的第一脉冲电压为-0.2 V~-0.6 V,第二脉冲电压为0.2V~-0.2 V。
2.如权利要求1所述方法制备得到的电化学自掺杂TiO2纳米管基材料,其特征在于,所述材料的TiO2纳米管中含有Ti3+和氧空位缺陷,TiO2纳米管的管壁上负载了金属纳米颗粒。
3.如权利要求2所述电化学自掺杂TiO2纳米管基材料应用于气相光电催化体系催化CO2还原的应用。
4.如权利要求3所述的应用,其特征在于,所述应用具体为将所述电化学自掺杂TiO2纳米管基材料在充满CO2的密闭容器中,通过施加电位和光源,使所述电化学自掺杂TiO2纳米管基材料进行气相光电催化CO2还原为烷烃类物质。
5.如权利要求4所述的应用,其特征在于,所述电位小于等于3.0 V,所述光源的功率为1 W~10 W,光源的波长为300 nm~400 nm。
6.如权利要求4所述的应用,其特征在于,所述气相光电催化的时间为0.5 h~6 h。
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