[发明专利]一种纳米网的制备方法在审
| 申请号： | 202110270117.1 | 申请日： | 2021-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN113173553A | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 张青竹;田佳佳;李俊杰;吴次南;张兆浩;殷华湘;刘战峰;毛淑娟;张静;王文武;屠海令 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 佟林松 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 制备 方法 | ||
1.一种垂直纳米网的制备方法，其特征在于：
提供衬底；
依次生长第一牺牲层、第二牺牲层，使得第二牺牲层形成多个第一长条图案；
形成第一掩膜层；
刻蚀所述多个第一长条图案上表面的第一掩膜层，使得所述多个第一长条图案两侧的第一掩膜层形成第一侧墙；
刻蚀掉第二牺牲层形成多个第一长条图案；
依次生长第三牺牲层、第四牺牲层，使得第四牺牲层形成多个第二长条图案，所述第二长条图案与所示第一长条图案垂直；
形成第二掩膜层；
刻蚀所述多个第二长条图案上表面的第二掩膜层，使得所述多个第二长条图案两侧的第二掩膜层形成第二侧墙；
刻蚀掉第四牺牲层形成的多个第二长条图案；
以第一侧墙和第二侧墙形成的纳米网为掩膜；刻蚀第一牺牲层和衬底，形成纳米网阵列。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述衬底为硅(Si)衬底、绝缘体上硅(SOI)、SiGe外延衬底。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：所述第二牺牲层、第四牺牲层分别包括刻蚀阻挡层和核心层。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于：先在核心层上形成多个第一长条图案的顶模，再在刻蚀阻挡层形成多个第一长条图案的芯模。
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于：刻蚀阻挡层和核心层分别为非晶硅(a-si)层、氮化硅(Si3N4)层。
6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于：纳米网宽度为180A/±10A，长度60-80nm，高度1000A/±30A，垂直度60°-90°，纳米网之间的间距间距10-500μm。。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：第一、二掩膜层为氮化硅(Si3N4)层。
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