[发明专利]半导体结构及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

半导体基底；

位于所述半导体基底上的复数条金属线形功能部；

位于所述金属线形功能部之间的空气隙；

其中，所述空气隙由氮化物构成的底壁、侧壁和顶壁共同包围形成，并且所述顶壁具有被金属间介电层封堵的开口。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于：

所述氮化物为氮化硅。

3.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：

提供半导体基底，在所述半导体基底上形成复数条金属线形功能部；

在所述金属线形功能部的表面和所述线形功能部之间沉积第一氮化物层；

沉积牺牲模层以填充所述金属线形功能部之间的空间；

回刻牺牲模层以露出所述第一氮化物层；

沉积第二氮化物层；

图形化所述第二氮化物层以将所述第二氮化物层开口，从而露出至少部分牺牲模层的表面；

去除至少部分所述牺牲模层；

封堵所述开口以形成空气隙。

4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于：

所述图形化包括，

在第二氮化物层的表面沉积金属间介电材料形成金属间介电层；

通过光刻-刻蚀工艺将金属间介电层和第二氮化物层图形化以形成所述开口。

5.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于：

所述封堵所述开口，是沉积金属间介电材料以封堵所述开口。

6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于：

所述沉积金属间介电材料，采用台阶覆盖率先低后高的沉积方式。

7.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于：

所述牺牲模层采用旋涂硬掩模组合物(Spin-on Hardmask，SOH)或旋涂碳(Spin-onCarbon，SOC)。

8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于：

所述去除至少部分所述牺牲模层，采用灰化工艺。

9.根据权利要求3-8任意一项所述的制作方法，其特征在于：

所述第一和第二氮化物层为氮化硅层。

10.一种电子设备，包括如权利要求1至2中任意一项所述的半导体结构，或者，包括权利要求3-8任意一项所述的制造方法制备得到的半导体结构。