[发明专利]一种高链路预算的芯片射频指标测试方法及系统

权利要求书

1.一种高链路预算的芯片射频指标测试方法，其特征在于，包括：

步骤S1，提供一待测芯片以及一标准芯片，所述待测芯片和所述标准芯片之间设置衰减链路；

步骤S2，获取链路衰减预算，并根据所述链路衰减预算调节所述衰减链路；

步骤S3，所述待测芯片通过调节后的所述衰减链路将第一射频信号发射至所述标准芯片；

步骤S4，所述标准芯片根据所述第一射频信号，生成第二射频信号并通过所述衰减链路反馈至所述待测芯片；

步骤S5，根据所述第一射频信号、所述第二射频信号和所述链路衰减预算获取所述待测芯片的射频指标测试结果；

所述衰减链路包括一第一固定衰减链路、可调衰减链路以及第二固定衰减链路；所述第一固定衰减链路与所述待测芯片直接连接并设置在第一测试控制板上，以接收所述待测芯片发送的所述第一射频信号，所述可调衰减链路设置在所述第一测试控制板外，并与所述第一固定衰减链路连接，用于传输所述第一射频信号；所述第二固定衰减链路与所述标准芯片直接连接并设置在第二测试控制板上，所述标准芯片外还设置一屏蔽箱。

2.根据权利要求1所述的一种高链路预算的芯片射频指标测试方法，其特征在于，

所述步骤S3，所述待测芯片通过所述衰减链路、所述屏蔽箱将第一射频信号发射至所述标准芯片；

所述步骤S4，所述标准芯片根据所述第一射频信号，生成所述第二射频信号并通过所述屏蔽箱、所述衰减链路反馈至所述待测芯片。

3.根据权利要求1所述的一种高链路预算的芯片射频指标测试方法，其特征在于，所述步骤S3中，所述待测芯片依次通过所述第一固定衰减链路、所述可调衰减链路以及所述第二固定衰减链路，将第一射频信号发射至所述标准芯片；

所述步骤S4中，所述标准芯片生成所述第二射频信号并依次通过所述第二固定衰减链路、所述可调衰减链路以及所述第一固定衰减链路反馈至所述待测芯片。

4.根据权利要求3所述的一种高链路预算的芯片射频指标测试方法，其特征在于，所述链路衰减预算大于160dB。

5.根据权利要求4所述的一种高链路预算的芯片射频指标测试方法，其特征在于，所述第一固定衰减链路的衰减大于60dB，小于所述待测芯片和所述第一固定衰减链路之间的隔离度；

所述第二固定衰减链路的衰减大于60dB，小于所述标准芯片和所述第二固定衰减链路之间的隔离度。

6.根据权利要求1所述的一种高链路预算的芯片射频指标测试方法，其特征在于，所述射频指标测试结果包括接收灵敏度；

所述步骤S5包括：

将所述第二射频信号减去所述链路衰减预算，获取所述待测芯片的接收灵敏度。

7.根据权利要求1所述的一种高链路预算的芯片射频指标测试方法，其特征在于，所述射频指标测试结果包括发射功率；

所述步骤S5包括：

将所述第一射频信号与预设的校验信号进行匹配分析，获取所述待测芯片的发射功率。

8.根据权利要求1所述的一种高链路预算的芯片射频指标测试方法，其特征在于，还包括：

步骤S6，提供一上位机，所述上位机显示所述射频指标测试结果。