[发明专利]一种阵列基板、显示面板以及显示装置有效
申请号: | 202110272319.X | 申请日: | 2021-03-12 |
公开(公告)号: | CN113053921B | 公开(公告)日: | 2022-09-27 |
发明(设计)人: | 余佩;王傲 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 徐世俊 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 显示 面板 以及 显示装置 | ||
本申请提供了一种阵列基板、显示面板以及显示装置,所述阵列基板包括:衬底基板;栅极层,设置于所述衬底基板上,所述栅极层用于形成扫描线;源漏极层,设置于所述栅极层上,所述源漏极层用于形成多条第一电源电压线和多条第二电源电压线;每条所述第一电源电压线沿第一方向延伸,多条所述第一电源电压线和多条所述第二电源电压线呈网状分布,每条所述第二电源电压线沿第二方向延伸,所述第一方向和所述第二方向交叉。本申请通过将所述第一电源电压线和所述第二电源电压线均于所述源漏极层中制作形成,避免了第一电源电压线和第二电源电压线由于不同膜层的材料不同导致的阻抗相差较大,从而提高所述第一电源电压线和第二电源电压线的阻抗均一性。
技术领域
本申请涉及显示器件技术领域,尤其涉及一种阵列基板、显示面板以及显示装置。
背景技术
由于显示面板(例如,主动矩阵有机发光二极体面板)上的电源电压线(VDD)与每个像素均连接,当驱动发光时,电源电压线上会有电流流过。考虑到电源电压线本身具有阻抗,会有压降存在,造成每一像素的VDD会出现差异,导致不同像素间存在电流差异。如此一来,流经OLED的电流不同,所产生的亮度也不同,进而AMOLED面板不均匀。
为保证面板亮度均一性,现有技术中的电源电压线VDD会采用大线宽、双层金属以降低内阻压降(RC loading)及电源压降(IR drop)影响,且采用网状结构(mesh)从而改善整个面内电压均一性。
由于网状结构的电源电压线是由不同的金属层制成,一般是分别制作于栅极层和源漏极层中,然而,栅极层一般采用高阻抗金属制成,栅极层的阻抗约为源漏极层的阻抗的10倍,即网状结构的电源电压线之间阻抗相差较大,因此整个面板内仍存在阻抗不均的问题,这也会导致AMOLED面板亮度不均匀。
发明内容
本申请提供一种阵列基板、显示面板以及显示装置,以解决阵列基板的电源电压线存在阻抗不均的问题。
一方面,本申请提供一种阵列基板,包括:
衬底基板;
源漏极层,设置于所述衬底基板上,所述源漏极层用于形成数据线、多条第一电源电压线和多条第二电源电压线;
多条所述第一电源电压线沿第一方向延伸,多条所述第二电源电压线沿第二方向延伸,所述第一方向和所述第二方向交叉,多条所述第一电源电压线和多条所述第二电源电压线在所述衬底基板上的正投影呈网状分布。
在本申请一种可能的实现方式中,栅极层,所述栅极层包括第一栅极层和第二栅极层,所述第二栅极层设置于所述第一栅极层上;
所述第一栅极层用于形成扫描线,所述扫描线沿所述第一方向延伸;
所述第二栅极层用于形成第一复位信号线,所述第一复位信号线沿所述第一方向延伸。
所述栅极层包括第一栅极层和第二栅极层,所述第一栅极层设置于所述源漏极层上,所述第二栅极层设置于所述第一栅极层上;
所述第一栅极层用于形成所述扫描线,所述扫描线沿所述第一方向延伸;
所述第二栅极层用于形成第一复位信号线,所述第一复位信号线沿所述第一方向延伸。
在本申请一种可能的实现方式中,所述源漏极层还用于形成数据线,所述数据线沿第一方向设置,所述数据线和所述第二电源电压线交叉,所述数据线和所述第二电源电压线的交叉部分间隔设置。
在本申请一种可能的实现方式中,所述源漏极层还用于形成数据线,所述第二电源电压线包括第一子电压线和第二子电压线,所述阵列基板还包括:
第一绝缘层,设置于所述第二栅极层和所述源漏极层之间,所述第一绝缘层上设置有贯穿所述第一绝缘层的第一过孔和第二过孔;
所述第一子电压线填充于所述第一过孔内;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的