[发明专利]一种用于冲击负荷电流补偿的智能断路器及其控制方法在审

专利信息
申请号: 202110272955.2 申请日: 2021-03-14
公开(公告)号: CN113036778A 公开(公告)日: 2021-06-25
发明(设计)人: 翟富生;李秀美;曹莹;封盛;孙高强;汤逵;李坚;王京致;翟绍涵 申请(专利权)人: 德威特智能电气(深圳)有限公司
主分类号: H02J3/18 分类号: H02J3/18;H02J13/00
代理公司: 广州市诺丰知识产权代理事务所(普通合伙) 44714 代理人: 任毅;黄国亮
地址: 518116 广东省深圳市龙岗区宝*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 冲击 负荷 电流 补偿 智能 断路器 及其 控制 方法
【权利要求书】:

1.一种用于冲击负荷电流补偿的智能断路器,其特征在于,所述智能断路器包括电能计量模块、边缘计算网关、驱动模块和冲击负荷补偿模块,所述电能计量模块的输出端与所述边缘计算网关的第一输入端连接,所述边缘计算网关的输出端与驱动模块的控制端连接,所述驱动模块与所述冲击负荷补偿模块相连接。

2.根据权利要求1所述的一种用于冲击负荷电流补偿的智能断路器,其特征在于,所述冲击负荷补偿模块包括第一半导体开关、第二半导体开关、第三半导体开关、第四半导体开关、第一电力二极管、第二电力二极管、第三电力二极管、第四电力二极管、电感和蓄能电容,所述第一半导体开关的集电极分别与所述第一电力二极管的负极端、所述第二电力二极管的负极端和所述第二半导体开关的集电极相连接,所述第三半导体开关的发射极分别与所述第三电力二极管的正极端、所述第四电力二极管的正极端和所述第四半导体开关的发射极相连接,所述第一半导体开关的发射极分别与所述第一电力二极管的正极端、所述第三半导体开关的集电极和所述第三电力二极管的负极端相连接,所述第二半导体开关的发射极分别与所述第二电力二极管的正极端、所述第四半导体开关的集电极和所述第四电力二极管的负极端相连接,所述第一半导体开关的集电极通过所述电感和所述蓄能电容与所述第三半导体开关的发射极连接,所述第一半导体开关的发射极连接到所述可变电容的第一端,所述第二半导体开关的发射极连接到所述可变电容的第二端,所述第一半导体开关的发射极与所述驱动模块连接。

3.根据权利要求1所述的一种用于冲击负荷电流补偿的智能断路器,其特征在于,所述驱动模块包括第五半导体开关,所述第五半导体开关的基极与所述边缘计算网关的输出端连接,所述第五半导体开关的集电极与所述冲击负荷补偿模块相连接。

4.根据权利要求2所述的一种用于冲击负荷电流补偿的智能断路器,其特征在于,所述第一半导体开关、所述第二半导体开关、所述第三半导体开关和所述第四半导体开关均采用晶体管。

5.根据权利要求2所述的一种用于冲击负荷电流补偿的智能断路器,其特征在于,所述第一半导体开关、所述第二半导体开关、所述第三半导体开关和所述第四半导体开关均采用场效应管。

6.根据权利要求1所述的一种用于冲击负荷电流补偿的智能断路器,其特征在于,还包括温度测量模块,所述温度测量模块的输出端与所述边缘计算网关的第二输入端连接。

7.一种用于权利要求1~6任一项所述智能断路器的控制方法,其特征在于,所述控制方法包括:

检测主电路中各相的电流值和电压值;

根据所述电流值和所述电压值,通过所述驱动模块控制所述冲击负荷补偿模块进行补偿。

8.根据权利要求7所述的控制方法,其特征在于,所述根据所述电流值和所述电压值,通过所述驱动模块控制所述冲击负荷补偿模块进行补偿,具体包括:若IA||IB||IC∈Io*(600±100)%,UA||UB||UCUn*95%,并且持续时间大于0.1s,则发出触发脉冲信号到驱动模块使得所述冲击负荷补偿模块接入主电路;

若IA||IB||IC∈Io*(100±5)%,UA||UB||UC∈Un*(100±5)%,并且持续时间大于0.1s,则发出关断信号到驱动模块;

其中,IA表示A相电流值,IB表示B相电流值,IC表示C相电流值,UA表示A相电压值,UB表示B相电压值,UC表示C相电压值,Un表示n相电压值,Io表示额定电流值。

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