[发明专利]具有双自由层磁性隧道结的二维磁记录读取器

权利要求书

1.一种二维磁记录头即TDMR头，其包括：

第一读取器，其包含：

第一下部屏蔽件，其在面向介质的表面处具有第一宽度；

第一晶种层，其安置成与所述第一下部屏蔽件接触，所述第一晶种层在所述面向介质的表面处具有所述第一宽度；

第一双自由层传感器即第一DFL传感器，其安置于所述第一下部屏蔽件上方并包括第一磁性自由层和第二磁性自由层，所述第一双自由层传感器的所述第一磁性自由层安置成与所述第一晶种层接触；以及

第一上部屏蔽层，其安置于所述第一DFL传感器上方并与所述第一DFL传感器接触，所述第一上部屏蔽层是单个层；

至少一个第一合成反铁磁结构即第一SAF结构，其安置成邻近于所述第一DFL传感器，所述至少一个第一SAF结构包括第一下部软偏置层、安置在所述第一下部软偏置层上的第一间隔件层以及安置在所述第一间隔件层上并与所述第一上部屏蔽层接触的第一上部软偏置层；

绝缘读取器分离间隙，其安置于所述第一读取器上方，所述绝缘读取器分离间隙被安置成与所述第一上部屏蔽层接触；以及

第二读取器，其安置于所述绝缘读取器分离间隙上方，所述第二读取器包含：

第二下部屏蔽件，所述第二下部屏蔽件是单个层并在所述面向介质的表面处具有所述第一宽度；

第二晶种层，其安置成与所述第二下部屏蔽件接触，所述第二晶种层在所述面向介质的表面处具有所述第一宽度；

第二DFL传感器，其安置于所述第二下部屏蔽件上方，所述第二DFL传感器在空气轴承表面处与所述第一DFL传感器对齐，其中所述第二DFL传感器的第三磁性自由层安置成与所述第二晶种层接触；以及

第二上部屏蔽层，其安置于所述第二DFL传感器上方。

2.根据权利要求1所述的TDMR头，其中所述第一DFL传感器包括：

所述第一磁性自由层，其安置于所述第一晶种层上；

第一障壁层，其安置于所述第一磁性自由层上方；

所述第二磁性自由层，其安置于所述第一障壁层上方；以及

第一顶盖层，其安置于所述第二磁性自由层上方。

3.根据权利要求2所述的TDMR头，其中所述第二DFL传感器包括：

所述第三磁性自由层，其安置于所述第二晶种层上方；

第二障壁层，其安置于所述第三磁性自由层上方；

第四磁性自由层，其安置于所述第二障壁层上方；以及

第二顶盖层，其安置于所述第四磁性自由层上方。

4.根据权利要求2所述的TDMR头，其中所述第一下部软偏置层安置成邻近于所述第一磁性自由层的一部分和所述第一障壁层的一部分，所述第一间隔件层安置成邻近于所述第一障壁层的一部分和所述第二磁性自由层的一部分，并且所述第一上部软偏置层安置成邻近于所述第二磁性自由层的一部分和所述第一顶盖层。

5.根据权利要求1所述的TDMR头，其进一步包括安置于所述第一DFL传感器后方的第一后硬偏置结构。

6.根据权利要求5所述的TDMR头，其进一步包括安置于所述第二DFL传感器后方的第二后硬偏置结构。

7.根据权利要求1所述的TDMR头，其进一步包括安置成邻近于所述第二DFL传感器的至少一个第二SAF结构。

8.一种磁记录装置，其包括根据权利要求1所述的TDMR头。