[发明专利]绝缘被覆导电粒子、各向异性导电膜及其制造方法、连接结构体及其制造方法有效
申请号: | 202110274170.9 | 申请日: | 2018-01-25 |
公开(公告)号: | CN113053562B | 公开(公告)日: | 2023-03-31 |
发明(设计)人: | 森谷敏光;伊泽弘行;赤井邦彦;市村刚幸;田中胜 | 申请(专利权)人: | 昭和电工材料株式会社 |
主分类号: | H01B5/00 | 分类号: | H01B5/00;H01B5/16;H01B13/00;H01R43/00;H01B1/00 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 陈彦;孔博 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 绝缘 被覆 导电 粒子 各向异性 及其 制造 方法 连接 结构 | ||
1.一种绝缘被覆导电粒子,其具备具有导电性的基材粒子、和被覆该基材粒子的表面的绝缘性微粒,
并且具有每单位面积的绝缘性微粒数少或为0的疏区域、和每单位面积的绝缘性微粒数比所述疏区域多的密区域,
所述绝缘被覆导电粒子具有中心轴所通过的两个所述疏区域,其中,所述中心轴是指通过所述基材粒子的中心的轴,
在将所述基材粒子的表面积设为S0μm2时,两个所述疏区域包含大于或等于0.10×S0μm2的绝缘性微粒数为0的区域。
2.根据权利要求1所述的绝缘被覆导电粒子,所述疏区域的每单位面积的绝缘性微粒数为0,
在将所述基材粒子的表面积设为S0μm2时,包含合计大于或等于0.5×S0μm2但不超过1×S0μm2的两个所述疏区域。
3.根据权利要求1所述的绝缘被覆导电粒子,所述密区域包含所述绝缘性微粒的粒子密度为2.0个/μm2~5.0个/μm2的区域。
4.一种绝缘被覆导电粒子,通过将具备基材粒子和绝缘性微粒的复合粒子的位于两个球冠区域的所述绝缘性微粒的一部分或全部除去而成,所述基材粒子具有导电性,所述绝缘性微粒被覆该基材粒子的表面,所述两个球冠区域是利用两个平行的平面切割所述基材粒子时得到的,
在将所述基材粒子的表面积设为S0μm2时,所述两个球冠区域包含大于或等于0.10×S0μm2的绝缘性微粒数为0的区域。
5.根据权利要求4所述的绝缘被覆导电粒子,所述球冠区域的每单位面积的绝缘性微粒数为0,
在将所述基材粒子的表面积设为S0μm2时,包含合计大于或等于0.5×S0μm2但不超过1×S0μm2的所述两个球冠区域。
6.根据权利要求4所述的绝缘被覆导电粒子,利用所述两个平行的平面切割所述基材粒子时的球带区域包含所述绝缘性微粒的粒子密度为2.0个/μm2~5.0个/μm2的区域。
7.一种绝缘被覆导电粒子,其具备具有导电性的基材粒子、和被覆该基材粒子的表面的绝缘性微粒,
所述绝缘性微粒偏集于利用两个平行的平面切割所述基材粒子时的球带区域,
在将所述基材粒子的表面积设为S0μm2时,利用所述两个平行的平面切割所述基材粒子时的两个球冠区域包含大于或等于0.10×S0μm2的绝缘性微粒数为0的区域。
8.根据权利要求7所述的绝缘被覆导电粒子,所述球冠区域的每单位面积的绝缘性微粒数为0,
在将所述基材粒子的表面积设为S0μm2时,包含合计大于或等于0.5×S0μm2但不超过1×S0μm2的所述两个球冠区域。
9.根据权利要求7所述的绝缘被覆导电粒子,所述球带区域包含所述绝缘性微粒的粒子密度为2.0个/μm2~5.0个/μm2的区域。
10.根据权利要求1~9中任一项所述的绝缘被覆导电粒子,单个的所述绝缘被覆导电粒子的最小径X’与最大径Y’之比X’/Y’为大于或等于0.4且小于或等于0.9。
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