[发明专利]量子点材料、图案化量子点膜层、量子点器件和制作方法

说明书

本发明公开了一种量子点材料、图案化量子点膜层、量子点器件和制作方法，以改善现有技术在制作图案化量子点膜层时，存在图案化显影精确度低，膜层厚度不均匀的问题。所述量子点材料，包括：量子点本体，第一连接体，以及含叠氮体；所述第一连接体一端与所述量子点本体连接，另一端与所述含叠氮体连接，以将所述含叠氮体与所述量子点本体连接；所述含叠氮体包括：其中，A为氢原子或卤素原子，B为氢原子或卤素原子,C为氢原子或卤素原子，D为氢原子或卤素原子。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种量子点材料、图案化量子点膜层、量子点器件和制作方法。

背景技术

量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes，QLED)作为最具有潜力的下一代自发光显示技术，与有机发光显示技术先比，QLED具有能耗更低、色纯度更高、色域更广等突出优势，而QLED亚像素区域的精确制备是实现高分辨率显示器件的前提。

发明内容

本发明提供一种量子点材料、图案化量子点膜层、量子点器件和制作方法，以改善现有技术在制作图案化量子点膜层时，存在图案化显影精确度低，膜层厚度不均匀的问题。

本发明实施例提供一种量子点材料，包括：量子点本体，第一连接体，以及含叠氮体；所述第一连接体一端与所述量子点本体连接，另一端与所述含叠氮体连接，以将所述含叠氮体与所述量子点本体连接；所述含叠氮体包括以下结构：

其中，A为氢原子或卤素原子，B为氢原子或卤素原子,C为氢原子或卤素原子，D为氢原子或卤素原子。

在一种可能的实施方式中，所述第一连接体包括：第一连接结构，第二连接结构，以及第三连接结构；所述第一连接结构一端与所述量子点本体连接，另一端与所述第二连接结构连接，所述第二连接结构的另一端与所述第三连接结构连接，所述第三连接结构的另一端与所述含叠氮体连接。

在一种可能的实施方式中，所述第一连接结构包括以下之一：

-OH-；

-SH-；

-COOH-；

-NH2-；

-P-；

-PO-；

-R-OH-；

-R-SH-；

-R-COOH-；

-R-NH2-；

-R-P-；

-R-PO-；

其中，R表示烷烃类基团，或者连接有酯基的烷烃基团，或者连接有酰胺键的烷烃基团。

在一种可能的实施方式中，所述第三连接结构包括以下之一：

在一种可能的实施方式中，所述第二连接结构包括以下之一或组合：

其中，n≥0,且n为正整数，x≥1。

本发明实施例还提供一种采用如本发明实施例提供的所述量子点材料形成的图案化量子点膜层，所述图案化量子点膜层包括：位于衬底基板一侧的多个图案部，所述图案部包括：

多个量子点本体以及连接体；所述连接体包括一端与一所述量子点本体连接的第一连接体，以及一端与另一所述量子点本体连接的第二连接体，以及连接所述第一连接体另一端和所述第二连接体另一端的第三连接体；所述第三连接体包括如下结构：