[发明专利]一种抗菌抗炎涂层及其制备方法和正畸材料在审
| 申请号： | 202110274260.8 | 申请日： | 2021-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN113046691A | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 张侃;苗凯菲;于东升;汪佳;包幸福;文懋;胡敏;郑伟涛 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/35;A61L31/08;A61L31/16 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 崔玥 |
| 地址： | 130000 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 抗菌 涂层 及其 制备 方法 材料 | ||
1.一种抗菌抗炎涂层，按原子百分数计，包括：钽30～34at％，硼57～67at％，和抗菌成分1～10at％，所述抗菌成分为银或铜。
2.根据权利要求1所述的抗菌抗炎涂层，其特征在于，按原子百分数计，包括：钽30～34at％，硼60～65at％，和抗菌成分2～8at％。
3.根据权利要求1所述的抗菌抗炎涂层，其特征在于，按原子百分数计，包括：钽32.7at％，硼65at％，和抗菌成分2.3at％。
4.权利要求1～3任意一项所述抗菌抗炎涂层的制备方法，包括：采用磁控溅射技术，以TaB4靶和银靶为靶材或以TaB4靶和铜靶为靶材，在基底表面进行共溅射，得到抗菌抗炎涂层。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述基底为硅片或不锈钢片。
6.根据权利要求4或5所述的制备方法，其特征在于，所述共溅射时基底的温度为室温。
7.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述TaB4靶采用直流电源控制沉积率，所述直流电源的功率为30～50W。
8.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述银靶或铜靶采用射频电源控制沉积率，所述射频电源的功率≤50W。
9.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述共溅射在氩气气氛条件下进行。
10.一种正畸材料，包括基材和包覆于所述基材表面的涂层，所述涂层为权利要求1～3任意一项所述抗菌抗炎涂层或权利要求4～9任意一项所述制备方法制备的保护抗菌抗炎涂层。
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