[发明专利]干刻蚀基材形成蒙砂的方法、蒙砂基材和应用

权利要求书

1.一种干刻蚀基材形成蒙砂的方法，其特征在于，包括以下步骤：

（a）将改性紫外固化压印材料均匀涂布在清洁后的基材上，形成紫外固化压印材料层；

（b）将具有浮雕图形结构的压印模板对紫外固化压印材料层进行压印，并进行UV固化，使压印模板上的浮雕图形转印到紫外固化压印材料层上，然后脱模；

（c）采用干刻蚀工艺对紫外固化压印材料层和基材进行刻蚀，使微图形转移到基材上，形成蒙砂基材；

其中，所述改性紫外固化压印材料通过以下方法制备得到：将纳米硅化合物加入到偶联剂溶液中分散均匀，然后再与紫外固化压印材料充分混合，得到改性紫外固化压印材料；纳米硅化合物占改性紫外固化压印材料的体积分数为4-5%；

刻蚀反应气体的流量范围如下：CF₄流量100-120sccm，CHF₃流量70-80sccm，O₂流量8-12sccm；

基材和紫外固化压印材料层的刻蚀选择比为0.9-1.1；

所述纳米硅化合物为纳米碳化硅和/或纳米氮化硅；

所述基材包括玻璃、石英、柔性聚酰亚胺材料中的一种。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤（a）中，涂布为喷涂、条缝涂布或旋涂中的一种。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤（a）中，紫外固化压印材料层的厚度为500nm-5μm。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤（a）中，所述偶联剂为硅烷类偶联剂。

5.根据权利要求1-4任一项所述的方法，其特征在于，步骤（b）中，压印的方式为滚压，压印模板包覆在滚轮上。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，步骤（b）中，滚压速度为0.1-10m/min，滚压压力为500-5000N，压印间隙为-1mm-5mm。

7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，步骤（b）中，压印模板为透明柔性聚酰亚胺压印模板或乙烯四氟乙烯压印模板。

8.根据权利要求1-4任一项所述的方法，其特征在于，步骤（b）中，UV固化的紫外光能量为1-5W/cm²，波长为365nm。

9. 根据权利要求8所述的方法，其特征在于，步骤（b）中， UV固化的时间为2-20s。

10.根据权利要求1-4任一项所述的方法，其特征在于，步骤（c）中，干刻蚀工艺采用反应离子刻蚀工艺。

11.根据权利要求1-4任一项所述的方法，其特征在于，步骤（c）中，刻蚀的真空度为12-15mTorr，放电功率为50-120w。

12.根据权利要求1-4任一项所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：刻蚀后剥离残胶和清洗，形成蒙砂基材的步骤。

13.一种蒙砂基材，其特征在于，包括微结构单元和基材，微结构单元制备在基材上，所述微结构单元制备在基材上采用权利要求1-12任一项所述的方法进行加工。

14.一种权利要求1-12任一项所述的方法或权利要求13所述的蒙砂基材在制备电子产品中的应用。