[发明专利]具有导电氧化物带的堆叠波导偏振器

权利要求书

1.一种结构，包括：

偏振器，包括第一波导芯及第一层，该第一波导芯具有第一侧表面，该第一层位于邻近该第一波导芯的该第一侧表面，且该第一层由第一材料组成，该第一材料具有虚部在从0至约15的范围的介电常数；以及

第二波导芯，位于该第一波导芯上方，该第二波导芯由第二材料组成，该第二材料的组分不同于该第一材料。

2.如权利要求1所述的结构，还包括：

介电层，位于该偏振器与该第二波导芯之间。

3.如权利要求1所述的结构，其中，该第一波导芯具有第一宽度，且还包括：

第三波导芯，与该第一波导芯耦接，

其中，该第三波导芯具有第二宽度，该第一宽度大于该第二宽度，且该第二波导芯具有大于该第二宽度的第三宽度。

4.如权利要求1所述的结构，其中，该第二波导芯包括第一端以及与该第一端相对的第二端，该第二波导芯在该第一端终止于该偏振器上方，且该第二波导芯在该第二端终止于该偏振器上方。

5.如权利要求1所述的结构，其中，该第二波导芯包括第一锥体以及与该第一锥体连接的段，且该第二波导芯的该第一锥体及该段直接位于该偏振器上方。

6.如权利要求5所述的结构，其中，该偏振器包括与该第一波导芯耦接的锥体，该第二波导芯的该第一锥体直接位于该偏振器的该锥体上方，且该第二波导芯的该段直接位于该偏振器的该第一波导芯上方。

7.如权利要求5所述的结构，其中，该第二波导芯在一端由该第一锥体终止。

8.如权利要求5所述的结构，其中，该第二波导芯包括通过该段与该第一锥体直接连接的第二锥体，且该第二波导芯的该第二锥体直接位于该偏振器上方。

9.如权利要求8所述的结构，其中，该第二波导芯在第一端由该第一锥体终止，且该第二波导芯在第二端由该第二锥体终止。

10.如权利要求1所述的结构，其中，该偏振器包括位于该第一层与该第一侧表面之间的第二层，且该第二层由二氧化硅组成。

11.如权利要求1所述的结构，其中，该第一材料为金属钒酸盐，该第二波导芯包括单晶硅，且该第二材料为氮化硅或多晶硅。

12.如权利要求1所述的结构，其中，该第一材料为钒酸钙或钒酸锶，该第二波导芯包括单晶硅，且该第二材料为氮化硅或多晶硅。

13.如权利要求1所述的结构，其中，该偏振器包括由该第一材料组成的第二层，该第一波导芯具有第二侧表面，且该第二层位于邻近该第一波导芯的该第二侧表面。

14.如权利要求13所述的结构，其中，该偏振器包括位于该第一层与该第一侧表面之间的第三层，位于该第二层与该第二侧表面之间的第四层，且该第三层及该第四层由二氧化硅组成。

15.如权利要求1所述的结构，其中，该第一层与该第一波导芯的该第一侧表面直接接触。

16.如权利要求1所述的结构，其中，该偏振器包括第二层以及位于该第二层与该第一层之间的第三层，该第三层由二氧化硅组成，且该第二层由该第一材料组成。

17.一种形成偏振器的结构的方法，该方法包括：

形成第一波导芯；

形成位于邻近该第一波导芯的侧表面的第一层；以及

形成位于该第一波导芯上方的第二波导芯，

其中，该第一层由第一材料组成，该第一材料具有虚部在从0至约15的范围的介电常数，且该第二波导芯由第二材料组成，该第二材料的组分不同于该第一材料。