[发明专利]一种通过调控负向电参数提高铝合金微弧氧化膜致密性的方法在审
申请号: | 202110274420.9 | 申请日: | 2021-03-15 |
公开(公告)号: | CN113106516A | 公开(公告)日: | 2021-07-13 |
发明(设计)人: | 宋影伟;朱明宇;董凯辉;韩恩厚 | 申请(专利权)人: | 中国科学院金属研究所 |
主分类号: | C25D11/04 | 分类号: | C25D11/04;C25D11/06 |
代理公司: | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人: | 于晓波 |
地址: | 110016 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 通过 调控 参数 提高 铝合金 氧化 致密 方法 | ||
1.一种通过调控负向电参数提高铝合金微弧氧化膜致密性的方法,其特征在:该方法是在铝合金表面制备微弧氧化膜的过程中,通过调控负向电参数提高微弧氧化膜的致密性;制备微弧氧化膜的过程包括如下步骤:
(1)前处理:
将铝合金工件采用氢氧化钠溶液清洗,除去表面残留的油污和氧化物,然后放入稀硝酸溶液中除灰,得到光洁的铝合金表面;
(2)微弧氧化:
将前处理好的铝合金工件浸入到微弧氧化成膜液中,使用双极性脉冲电源进行微弧氧化处理,从而在铝合金表面获得致密铝合金微弧氧化膜;所述微弧氧化成膜液组成为:主成膜剂硅酸钠浓度为5~30g/L,辅助成膜剂磷酸盐浓度为2~20g/L,pH调节剂浓度为1~15g/L,稳定剂浓度为1~10g/L,改性剂浓度为1~8g/L,其余为水。
2.根据权利要求1所述的通过调控负向电参数提高铝合金微弧氧化膜致密性的方法,其特征在:步骤(2)微弧氧化过程中,利用冷却循环水控制成膜液温度为20℃~40℃。
3.根据权利要求1所述的通过调控负向电参数提高铝合金微弧氧化膜致密性的方法,其特征在:步骤(2)微弧氧化过程中,铝合金工件作为阳极,与微弧氧化电源的正极连接,不锈钢板作为阴极,与电源负极相连,采用恒流脉冲模式进行微弧氧化处理。
4.根据权利要求1所述的通过调控负向电参数提高铝合金微弧氧化膜致密性的方法,其特征在于:所述微弧氧化成膜液中,磷酸盐辅助成膜剂为焦磷酸钠、磷酸三钠、六偏磷酸钠和磷酸氢钠中的一种或几种复配;所述pH调节剂为氢氧化钠和氢氧化钾中的一种或两种复配;所述稳定剂为乙二胺四乙酸盐、丙三醇和丁二醇中的一种或几种复配;所述改性剂为钨酸钠、钨酸钾、钒酸铵、钒酸钠、钼酸钠和钼酸氨中的一种或几种复配。
5.根据权利要求1所述的通过调控负向电参数提高铝合金微弧氧化膜致密性的方法,其特征在于:所述成膜液的pH值为9~14,成膜液的电导率为5~20ms·cm-1。
6.根据权利要求1所述的通过调控负向电参数提高铝合金微弧氧化膜致密性的方法,其特征在于:所述微弧氧化电参数为正向电流密度为1~10A/dm2、负向电流密度为2~32A/dm2,正向占空比10~50%,负向占空比20~60%,频率为200~1000Hz,正负脉冲比1:1,氧化处理时间为30~120min。
7.根据权利要求6所述的通过调控负向电参数提高铝合金微弧氧化膜层致密性的方法,其特征在于:所述微弧氧化电参数的正向电流密度与负向电流密度的比值在1:6到1:1之间,正向占空比与负向占空比的比值在1:4到1:1之间,负向电参数能够促进膜层的致密化。
8.根据权利要求1所述的通过调控负向电参数提高铝合金微弧氧化膜层致密性的方法,其特征在于:所制得的高耐蚀微弧氧化膜层的厚度为10~60μm,表面光洁平整。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院金属研究所,未经中国科学院金属研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110274420.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。