[发明专利]碳化硅MOSFET器件及其工艺方法

权利要求书

1.一种碳化硅MOSFET器件，包括高浓度N型漏极(06)及漏极金属(09)，在所述高浓度N型漏极(06)上设有N型外延层(04)作为MOSFET器件的漂移区，在所述N型外延层(04)上方设有间隔的P型体区(03)，在所述P型体区(03)内设有高浓度的N型源极(02)，在所述N型源极(02)外侧设有高浓度的第一P型源极(01a)，在所述N型外延层(04)表面还设有栅极氧化层(10)，所述栅极氧化层(10)起始并终于两个相邻的N型源极(02)上方，所述栅极氧化层(10)上方设有栅极多晶硅(05)，所述N型源极(02)和第一P型源极(01a)表面还设有源极金属(08)，所述源极金属(08)和栅极多晶硅(05)之间设有绝缘介质层(07)隔离；其特征在于，

所述P型体区(03)和N型源极(02)分别向两侧设有凹陷区域，所述凹陷区域在Y方向上间隔设置，且所述P型体区(03)包围N型源极(02)，所述凹陷区域内设有高浓度的第二P型源极(01b)；

所述Y方向为栅极多晶硅(05)长度延伸方向。

2.如权利要求1所述的碳化硅MOSFET器件，其特征在于，

所述P型体区(03)和N型源极(02)在Y方向上间隔设置的凹陷区域的长度W1及未凹陷区域的长度W2的值为0.5μm～5μm。

3.如权利要求2所述的碳化硅MOSFET器件，其特征在于，

所述P型体区(03)和N型源极(02)在Y方向上间隔设置的凹陷区域的长度W1及未凹陷区域的长度W2的值相等。

4.如权利要求3所述的碳化硅MOSFET器件，其特征在于，

W1=W2=3μm。

5.一种实现碳化硅MOSFET器件的工艺方法，用于制作如权利要求1～4中任一项所述的碳化硅MOSFET器件，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一：选取高浓度N型衬底材料作为高浓度N型漏极(06)并外延生长N型外延层(04)；

步骤二：在所述N型外延层(04)表面淀积氮化硅(11)，利用掩膜窗口，刻蚀出P型体区窗口并注入铝离子形成P型体区(03)；

步骤三：在上述P型体区窗口的基础上，进一步淀积氮化硅(11)，然后刻蚀掉氮化硅(11)即形成N型源极的注入窗口，接着注入氮离子形成N型源极(02)；

步骤四：去除上一步骤的氮化硅之后再淀积一层氮化硅，利用掩膜窗口，刻蚀出P型源极的注入窗口，注入铝离子分别形成第一P型源极(01a)和第二P型源极(01b)；

步骤五：在N型外延层(04)表面生长栅极氧化层(10)并淀积栅极多晶硅(05)，并利用掩膜窗口将多余的栅极氧化层和栅极多晶硅刻蚀掉；

步骤六：淀积绝缘介质层(07)，然后在绝缘介质层(07)上选择性刻蚀出通孔，接着在器件正面和背面淀积金属并在正面选择性刻蚀金属，形成源极金属(08)、漏极金属(09)。