[发明专利]量子点、包括量子点的量子点聚合物复合物和显示装置

权利要求书

1.一种量子点，所述量子点包括：

模板，包括第一半导体纳米晶体；

量子阱层，设置在所述模板上；以及

壳，设置在所述量子阱层上，所述壳包括第二半导体纳米晶体，

其中，所述量子点不包括镉，

其中，所述第一半导体纳米晶体包括第一锌硫属化物，

其中，所述第二半导体纳米晶体包括第二锌硫属化物，

其中，所述量子阱层包括包含铟、磷、锌和硫属元素的合金半导体纳米晶体，并且

其中，所述合金半导体纳米晶体的带隙能比所述第一半导体纳米晶体的带隙能小，并且比所述第二半导体纳米晶体的带隙能小。

2.根据权利要求1所述的量子点，其中，所述第一锌硫属化物包括ZnSe、ZnTeSe、ZnSeS、ZnS或它们的组合，并且

所述第二锌硫属化物独立地包括ZnSe、ZnTeSe、ZnSeS、ZnS或它们的组合。

3.根据权利要求1所述的量子点，其中，所述第一半导体纳米晶体和所述第二半导体纳米晶体具有彼此不同的组成。

4.根据权利要求1所述的量子点，其中，

所述第一半导体纳米晶体包括ZnSe、ZnTeSe、ZnSeS、ZnS或它们的组合，并且

所述第二半导体纳米晶体包括ZnSe、ZnSeS、ZnS或它们的组合。

5.根据权利要求1所述的量子点，其中，所述硫属元素包括硫。

6.根据权利要求1所述的量子点，其中，所述合金半导体纳米晶体与所述第一半导体纳米晶体的晶格常数之间的差小于或等于3％，并且

其中，所述合金半导体纳米晶体与所述第二半导体纳米晶体的晶格常数之间的差小于或等于3％。

7.根据权利要求1所述的量子点，其中，基于所述量子点中的元素的总摩尔数，所述量子点具有小于或等于20％的铟和磷的总摩尔量。

8.根据权利要求1所述的量子点，其中，在所述量子点中，磷相对于铟的摩尔比大于或等于0.5:1且小于或等于0.9:1。

9.根据权利要求1所述的量子点，其中，在所述量子点中，锌相对于铟的摩尔比大于或等于15:1且小于或等于55:1。

10.根据权利要求1所述的量子点，其中，在所述量子点中，硫和硒的总和相对于锌的摩尔比大于或等于0.5:1且小于或等于1:1。

11.根据权利要求1所述的量子点，其中，在所述量子点中，硫相对于硒的摩尔比大于或等于0.3:1且小于或等于0.9:1。

12.根据权利要求1所述的量子点，其中，所述壳包括：第一层，包括第三锌硫属化物；以及第二层，包括具有与所述第三锌硫属化物不同的组成的第四锌硫属化物。

13.根据权利要求12所述的量子点，其中，所述第一层包括ZnSe、ZnSeS或它们的组合，并且所述第二层包括ZnS。

14.根据权利要求12所述的量子点，其中，所述第一层直接在所述量子阱层上，并且所述第二层是所述壳的最外层。

15.根据权利要求1所述的量子点，其中，所述量子阱层的厚度大于或等于0.1纳米且小于或等于0.35纳米。

16.根据权利要求1所述的量子点，其中，所述量子点的尺寸大于或等于3纳米且小于或等于7纳米。