[发明专利]超结结型场效应晶体管及其制作方法

权利要求书

1.一种超结结型场效应晶体管，其特征在于，包括：

漏极金属(01)，在所述漏极金属(01)上设有第一导电类型硅衬底(02)，所述第一导电类型硅衬底(02)与漏极金属(01)的接触面为下表面(201)，在所述第一导电类型硅衬底(02)上设有第一导电类型外延层(3)，在第一导电类型外延层(3)内设有互相间隔的第一导电类型柱(03)与第二导电类型柱(04)，在所述第二导电类型柱(04)的表面设有第二导电类型体区(05)，在所述第二导电类型体区(05)内设有重掺杂的第二导电类型栅极(06)，栅极金属(09)与所述重掺杂的第二导电类型栅极(06)连接，在所述第一导电类型柱(03)的表面设有重掺杂的第一导电类型源极(07)，源极金属(08)与所述重掺杂的第一导电类型源极(07)连接，所述栅极金属(09)和源极金属(08)之间设有隔离氧化层(10)，其特征在于：

所述栅极金属(09)与所述重掺杂的第二导电类型栅极(06)的接触面为第一上表面(301)，所述源极金属(08)与所述重掺杂的第一导电类型源极(07)的接触面为第二上表面(302)，所述第二上表面(302)高于第一上表面(301)。

2.如权利要求1所述的超结结型场效应晶体管，其特征在于，

对于N型沟道的超结结型场效应晶体管，所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型；对于P型沟道的超结结型场效应晶体管，所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型。

3.如权利要求1所述的超结结型场效应晶体管，其特征在于，

所述第二上表面(302)与第一上表面(301)的高度差为0.5μm～5μm。

4.一种超结结型场效应晶体管的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一：选取第一导电类型硅衬底(02)材料并外延生长第一导电类型外延层(3)；

步骤二：在所述第一导电类型外延层(3)的第二上表面(302)选择性刻蚀出深沟槽(401)；

步骤三：淀积第二导电类型硅，将上述深沟槽(401)填满，形成互相间隔的第一导电类型柱(03)与第二导电类型柱(04)；然后去除第二上表面(302)上方的结构；

步骤四：在所述第一导电类型外延层(3)的第二上表面(302)选择性刻蚀出浅沟槽(402)，浅沟槽底部即为第一上表面(301)；

步骤五：利用掩膜窗口，借助离子注入的方式，在第一上表面(301)注入第二导电类型杂质并热退火，形成第二导电类型体区(05)；

步骤六：利用掩膜窗口分别在第二上表面(302)和第一上表面(301)分别注入第一导电类型的杂质和第二导电类型的杂质，激活后分别形成重掺杂的第一导电类型源极(07)和重掺杂的第二导电类型栅极(06)；

步骤七：淀积绝缘介质层(10)，然后在绝缘介质层(10)上选择性刻蚀出通孔，接着淀积金属并选择性刻蚀金属，形成源极金属(08)、栅极金属(09)、漏极金属(01)。