[发明专利]一种倒装LED芯片的共晶电极结构在审
| 申请号： | 202110274952.2 | 申请日： | 2021-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN112968098A | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | 郝锐;易翰翔;李玉珠;张洪安;武杰 | 申请（专利权）人： | 广东德力光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40;H01L33/38 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 颜希文;管莹 |
| 地址： | 529000 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 倒装 led 芯片 电极 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种倒装LED芯片的共晶电极结构，其特征在于，包括自上而下依次设置的Ti金属层、Ni金属层或Ni合金层、Au金属层、以及SnAu基合金层，所述SnAu基合金层由n层Sn金属层和n层Au金属层周期性交错设置形成，其中，n≥6。
2.如权利要求1所述的一种倒装LED芯片的共晶电极结构，其特征在于，所述Ti金属层的厚度为2000埃～3000埃。
3.如权利要求1所述的一种倒装LED芯片的共晶电极结构，其特征在于，所述Ni金属层或Ni合金层的厚度为1000埃～3000埃。
4.如权利要求1所述的一种倒装LED芯片的共晶电极结构，其特征在于，所述Au金属层的厚度为2000埃～3000埃。
5.如权利要求1所述的一种倒装LED芯片的共晶电极结构，其特征在于，所述SnAu基合金层的厚度大于或等于3微米。
6.如权利要求5所述的一种倒装LED芯片的共晶电极结构，其特征在于，所述SnAu基合金层中的每层Sn金属层的厚度为2000埃～5000埃。
7.如权利要求5所述的一种倒装LED芯片的共晶电极结构，其特征在于，所述SnAu基合金层中的每层Au金属层的厚度为2000埃～5000埃。
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