[发明专利]一种氮、硼掺杂非晶碳中空纤维膜的制备方法有效
申请号: | 202110275151.8 | 申请日: | 2021-03-15 |
公开(公告)号: | CN113136641B | 公开(公告)日: | 2022-05-31 |
发明(设计)人: | 吕燕飞;彭雪;蔡庆锋;赵士超 | 申请(专利权)人: | 杭州电子科技大学 |
主分类号: | D01F9/14 | 分类号: | D01F9/14;C23C16/26 |
代理公司: | 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240 | 代理人: | 杨舟涛 |
地址: | 310018 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 掺杂 非晶碳 中空 纤维 制备 方法 | ||
本发明公开了一种氮、硼掺杂非晶碳中空纤维膜的制备方法,本发明采用氨硼烷作为氮、硼掺杂剂,苯甲醚作为非晶碳源,铜纤维为生长基底,通过气相法在基底上制备出氮、硼掺杂非晶碳纤维膜,纤维膜厚度从数纳米厚度到100纳米。表面生长有碳纤维膜的铜纤维,经过氯化铁溶解去除后,制备成氮、硼掺杂非晶碳中空纤维膜。本发明以氮、硼为掺杂剂,氮、硼原子的引入,易于非晶碳在铜纤维表面的异质成核;苯甲醚作为碳源,苯甲醚中的氧原子高温下对铜氧化刻蚀,在还原性气体氢的作用下,铜纤维表面粗糙度增加促进非晶碳的生长。制备的氮、硼掺杂非晶碳中空纤维,膜厚度可控、尺寸均匀、膜连续无气孔且表面粗糙度小。
技术领域
本发明属于材料技术领域,具体涉及一种硼、氮掺杂非晶碳中空纤维膜的制备方法。
背景技术
非晶碳材料具有较好的机械性能、电学性能、耐氧化抗腐蚀,近些年引起人们的关注,它可用于电极材料、光刻刻蚀掩膜版、电传感、固态润滑、超级电容器等领域,通过氮、硼掺杂后还有抑制细菌繁殖、吸收电磁波等性能。氮、硼掺杂非晶碳可通过固相烧结法,如硼砂、尿素和碳源共烧,溅射法等合成。但这些方法无法制备中空纤维膜。
发明内容
本发明针对现有技术的不足,提出了一种氮、硼掺杂非晶碳中空纤维膜的制备方法,本发明通过氮、硼掺杂制备了非晶碳中空纤维膜,可用于固体粉末、气体、液体过滤净化,电极制备等领域。
本发明采用氨硼烷作为氮、硼掺杂剂,苯甲醚作为非晶碳源,铜纤维为生长基底,通过气相法在基底上制备出氮、硼掺杂非晶碳纤维膜,纤维膜厚度从数纳米厚度到100纳米。纤维内径取决于铜纤维直径,从0.5微米至1000微米。表面生长有碳纤维膜的铜纤维,经过氯化铁溶解去除后,制备成氮、硼掺杂非晶碳中空纤维膜。
本发明一种硼、氮掺杂非晶碳中空纤维膜制备方法的具体步骤是:
步骤(1).以铜纤维为衬底,放入化学气相沉积系统中的石英管中;
步骤(2).将氨硼烷装入石英鼓泡器中,鼓泡器一端连接载气氩氢,其中氢气体积占5%,一端连接化学气相沉积系统,通过载气将氨硼烷蒸气载入化学气相沉积系统中;载有氨硼烷蒸气的载气流量通过气体质量流量计控制,载气流速为10-50sccm;装有氨硼烷的石英鼓泡器加热温度为40-90℃;
步骤(3).将苯甲醚装入石英鼓泡器中,鼓泡器一端连接载气氩氢,其中氢气体积占5%,一端连接化学气相沉积系统,通过载气将苯甲醚蒸气载入化学气相沉积系统中;载有苯甲醚蒸气的载气流量通过气体质量流量计控制,流速为20-100sccm;所述的氨硼烷与苯甲醚的质量比为0.025:5;
步骤(4).将化学气相沉积系统中的石英管,升温至900~1100℃,升温速率为20~30℃/min;温度升至900~1100℃后保温,保温时间为20~60min;
步骤(6).管式电炉、石英管停止加热,开启管式炉,将石英管室温环境下快速冷却到室温,然后取出基底,在铜纤维表面获得氮、硼掺杂的非晶碳薄膜;氮、硼掺杂浓度相同,掺杂浓度原子比为0.5-40%;
步骤(7).步骤(6)产物通过三氯化铁的盐酸溶液浸泡,溶解去除铜,获得硼、氮掺杂非晶碳中空纤维膜,膜厚度0.5μm-1000μm。
作为优选,所述的铜纤维的尺寸为0.5μm至1000μm。
作为优选,所述的铜纤维替换为镍纤维或铜镍合金纤维。
作为优选,石英管替换为刚玉管。
本发明以氮、硼为掺杂剂,氮、硼原子的引入,易于非晶碳在铜纤维表面的异质成核;苯甲醚作为碳源,苯甲醚中的氧原子高温下对铜氧化刻蚀,在还原性气体氢的作用下,铜纤维表面粗糙度增加促进非晶碳的生长。制备的氮、硼掺杂非晶碳中空纤维,膜厚度可控、尺寸均匀、膜连续无气孔且表面粗糙度小。
附图说明
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