[发明专利]一种电流采样电路

权利要求书

1.一种电流采样电路，其特征在于：包括电流镜电路、电压钳位电路和输出cascode电流镜电路；所述电流镜电路包括采样电路和镜像电路，所述采样电路包括至少两个第一MOS管，所有第一MOS管的漏极分别输入检测电流，所有第一MOS管的栅极输入第一驱动电压VIN，所有第一MOS管的源极接地；所述镜像电路包括至少两个第二MOS管，所有第二MOS管依次串联，所述串联是指上一个第二MOS管的源极与下一个第二MOS管的漏极电连接，第一个第二MOS管的漏极向所述输出cascode电流镜电路输入第一镜像电流，最后一个第二MOS管的源极接地，所有第二MOS管的栅极分别输入所述第一驱动电压VIN；所述输出cascode电流镜电路将所述第一镜像电流比例转换为第二镜像电流，所述第二镜像电流输入到采样电阻Rsense；所述电压钳位电路将第一MOS管的漏极电压和第一个第二MOS管的漏极电压钳至到目标电位。

2.根据权利要求1所述的一种电流采样电路，其特征在于：所述采样电路包括四个第一MOS管，所述镜像电路包括三个第二MOS管。

3.根据权利要求1或2所述的一种电流采样电路，其特征在于：所述电压钳位电路包括误差放大器AMP和输出管MN1，所述误差放大器AMP的正极与所述第一MOS管的漏极电连接，所述误差放大器的负极与第一个第二MOS管的漏极电连接，所述误差放大器的输出信号输入到输出管MN1的栅极，所述第一镜像电流通过输出管MN1的源极和漏极输入到所述输出cascode电流镜电路。

4.根据权利要求3所述的一种电流采样电路，其特征在于：所述误差放大器包括一级放大电路、二级放大电路、三级放大电路和偏置电流产生电路；所述偏置电流产生电路产生第一偏置电流、第二偏置电流和第三偏置电流；所述一级放大电路包括MOS管M1、M2、M3、M4和M13，所述第一偏置电流输入到MOS管M1和M2的源极，所述MOS管M1的栅极是误差放大器AMP的负极，所述MOS管M2的栅极是误差放大器AMP的正极，所述MOS管M1的漏极与MOS管M3的漏极电连接，所述MOS管M2的漏极与MOS管M4的漏极电连接，所述MOS管M3、M4和M13的源极分别接地，所述MOS管M3的栅极、MOS管M4的栅极、MOS管M13的栅极和漏极分别和电源V1电连接；所述二级放大电路包括MOS管M14、M15、M16、M17、M18和M19，所述MOS管M14和M15的源极分别与电源V2电连接，所述MOS管M14的栅极分别和MOS管M14的漏极、MOS管M15的栅极和MOS管M16的漏极电连接，所述MOS管M15的漏极与MOS管M17的漏极电连接，所述MOS管M16和M17的栅极分别输入第二偏置电流，所述MOS管M16的源极分别与MOS管M2的漏极和MOS管M18的源极电连接，所述MOS管M17的源极分别与MOS管M1的漏极和MOS管M19的源极电连接，所述MOS管M18和M19的栅极分别输入使能电压V3和使能电压V4，所述MOS管M18和M19的漏极分别接地；所述三级放大电路包括MOS管M20和M21，所述MOS管M20的源极与电源V2电连接，所述MOS管M20的栅极与MOS管M15的漏极电连接，MOS管M20的漏极分别和输出管MN1的栅极电连接，第三偏置电流输入到MOS管M21的栅极，MOS管M21的源极接地。

5.根据权利要求4所述的一种电流采样电路，其特征在于：所述MOS管M18和M19的漏极通过修调模块接地，所述修调模块包括MOS管M60、M61、M62、M63、M64、M65、M66和M67，所述MOS管M60、M61、M62和M63的漏极分别与MOS管M18和M19的漏极电连接，所述MOS管M60、M61、M62和M63的栅极分别接入第一控制信号EN1、第二控制信号EN2、第三控制信号EN3和第四控制信号EN4，所述MOS管M60、M61、M62和M63的源极分别和所述MOS管M64、M65、M66和M67的漏极电连接，所述MOS管M64、M65、M66和M67的栅极分别接入电压Vbias，所述MOS管M64、M65、M66和M67的源极接地。