[发明专利]振动器件

说明书

本发明提供振动器件，能够抑制振荡特性的下降。振动器件具有：半导体基板，其具有第1面和位于所述第1面的相反侧的第2面；振动片，其配置在所述第1面；电路元件，其配置在所述第1面，包含振荡电路；布线，其配置在所述第1面，将所述振动片和所述振荡电路电连接；处理电路，其配置在所述第2面，处理所述振荡电路的输出信号；以及贯通电极，其贯通所述半导体基板，将所述振荡电路和所述处理电路电连接。

技术领域

本发明涉及振动器件。

背景技术

专利文献1记载的压电振荡器具有：集成电路基板，其具有在由电绝缘性材料构成的平板的一个面侧形成的振荡电路和在另一个面侧形成的腔室；振动片，其固定于腔室的底面；贯通电极，其贯通平板，将振荡电路和振动片电连接；以及盖，其以覆盖腔室的开口的方式与平板的上表面接合。这样，通过在集成电路基板上安装振动片，能够实现压电振荡器的小型化。

专利文献1：日本特开2004-214787号公报

发明内容

发明要解决的课题

但是，在专利文献1的压电振荡器中，经由贯通电极将振荡电路和振动片电连接。这样，在经由贯通电极将振荡电路和振动片电连接的结构中，存在贯通电极所包含的寄生电容变大、振荡特性下降的问题。

用于解决课题的手段

本应用例的振动器件具有：半导体基板，其具有第1面和位于所述第1面的相反侧的第2面；振动片，其配置在所述第1面；电路元件，其配置在所述第1面，包含振荡电路；布线，其配置在所述第1面，将所述振动片和所述振荡电路电连接；处理电路，其配置在所述第2面，处理所述振荡电路的输出信号；以及贯通电极，其贯通所述半导体基板，将所述振荡电路和所述处理电路电连接。

本应用例的振动器件具有：第1半导体基板，其具有第1面和位于所述第1面的相反侧的第2面；电路元件，其具备第2半导体基板和振荡电路，所述第2半导体基板配置于所述第1面，具有位于所述第1面的相反侧的第3面，所述振荡电路配置于所述第3面；振动片，其配置在所述电路元件的所述第3面；布线，其配置在所述第3面，将所述振动片和所述振荡电路电连接；处理电路，其配置在所述第2面，处理所述振荡电路的输出信号；以及第1贯通电极，其贯通所述第1半导体基板，将所述振荡电路和所述处理电路电连接。

附图说明

图1是示出第1实施方式的振动器件的剖视图。

图2是示出图1的振动器件具有的振动片以及电路元件的俯视图。

图3是示出图1的振动器件的电路结构的框图。

图4是示出第2实施方式的振动器件的剖视图。

图5是示出图4的振动器件具有的振动片以及电路元件的俯视图。

标号说明

1：振动器件；2：封装；3：盖；4：半导体电路基板；5：半导体基板；6：电路；8：电路元件；8a：上表面；8b：下表面；9：振动片；30：下表面；31：凹部；50：绝缘膜；51：上表面；52：下表面；53：贯通孔；60：层叠体；61：绝缘层；62：布线层；63：绝缘层；64：钝化膜；65：端子层；66：处理电路；67：分数N-PLL电路；68：输出电路；71、72、73：布线；75：接合层；81：温度传感器；82：振荡电路；91：振动基板；530：贯通电极；651：端子；671：相位比较器；672：低通滤波器；673：压控振荡器；674：分频器；675：电荷泵电路；801：半导体基板；802电路部；803：端子；805：贯通电极；821：振荡电路部；822：温度补偿电路部；921、922：激励电极；923、924：端子；925、926：布线；B1、B2、B3：接合部件；S：收纳空间。

具体实施方式

以下，根据附图所示的实施方式，对本应用例的振动器件、电子设备以及移动体进行详细说明。