[发明专利]三维存储器及其制作方法

说明书

本公开实施例公开了一种三维存储器及其制作方法，所述三维存储器包括：第一衬底，包括相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面用于承载存储阵列；第一介质层，覆盖所述第一衬底的第一表面；焊盘结构，贯穿所述第一衬底的第一表面和第二表面、以及所述第一介质层；其中，所述焊盘结构与所述三维存储器的控制电路电连接；至少两个隔离结构，贯穿所述第一衬底的第一表面和第二表面、以及所述第一介质层；其中，沿平行于所述第一衬底的第一方向，所述焊盘结构位于第一个所述隔离结构和第二个所述隔离结构之间。

技术领域

本公开实施例涉及半导体技术领域，特别涉及一种三维存储器及其制作方法。

背景技术

为实现存储器的高集成化和小型化，已开发出三维(3D)存储器。3D NAND存储器中，通常包括形成垂直存储单元串的阵列晶体管和形成外围电路的外围晶体管。在3D NAND器件中，外部电路可以经由三维存储器的焊盘引出结构向该存储器中的晶体管提供控制信号，以实现对于存储器的控制。然而，在一些情况下，焊盘引出结构的可靠性较差，可能导致存储器失效。

发明内容

有鉴于此，本公开实施例提供一种三维存储器及三维存储器的制作方法。

根据本公开实施例的第一方面，提供一种三维存储器，包括：

第一衬底，包括相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面用于承载存储阵列；

第一介质层，覆盖所述第一衬底的第一表面；

焊盘结构，贯穿所述第一衬底的第一表面和第二表面、以及所述第一介质层；其中，所述焊盘结构与所述三维存储器的控制电路电连接；

至少两个隔离结构，贯穿所述第一衬底的第一表面和第二表面、以及所述第一介质层；

其中，沿平行于所述第一衬底的第一方向，所述焊盘结构位于第一个所述隔离结构和第二个所述隔离结构之间。

在一些实施例中，在垂直于所述第一方向和所述第一衬底的平面内，所述焊盘结构的投影，位于所述隔离结构的投影内。

在一些实施例中，所述焊盘结构包括：沿垂直于所述第一衬底的第二方向并列排布的第一导电层和第一接触部；其中，所述第一导电层，位于所述第一衬底的第二表面上；所述第一接触部，贯穿所述第一衬底的第一表面和第二表面、以及至少部分所述第一介质层。

在一些实施例中，所述隔离结构包括：沿所述第二方向并列排布的第二导电层和第二接触部；其中，所述第二导电层，位于所述第一衬底的第二表面上；所述第二接触部，贯穿所述第一衬底的第一表面和第二表面、以及至少部分所述第一介质层；

所述三维存储器还包括：保护层，覆盖所述第一衬底的第二表面，具有第一类开口和至少两个第二类开口；其中，所述第一类开口显露所述第一导电层，所述第二类开口显露所述第二导电层；

其中，沿所述第一方向，所述第二导电层的中心与所述第一接触部之间的间距，大于所述第二接触部的中心与所述第一接触部的中心之间的间距。

在一些实施例中，所述三维存储器还包括：

第二衬底，用于承载所述控制电路；

第二介质层，位于所述第二衬底上，覆盖所述控制电路；

所述焊盘结构，包括：

第一互连层，位于所述第一介质层中；其中，沿所述第二方向，所述第一接触部位于所述第一导电层和所述第一互连层之间；

第三互连层，位于所述第二介质层中，并与所述第一互连层接触；其中，所述第三互连层的延伸方向平行于所述第二衬底所在平面，所述第一接触部向所述第二衬底所在平面的投影，位于所述第三互连层向所述第二衬底所在平面的投影内。

在一些实施例中，所述隔离结构还包括：