[发明专利]一种高量子产率铜纳米团簇荧光纳米花及其制备方法与在LED中的应用有效

专利信息
申请号: 202110275490.6 申请日: 2021-03-15
公开(公告)号: CN113025316B 公开(公告)日: 2021-12-28
发明(设计)人: 辛霞;周淑瑾;孙頔;张闪闪;冯宁 申请(专利权)人: 山东大学
主分类号: C09K11/58 分类号: C09K11/58;C09K11/02;B82Y20/00;B82Y40/00;H01L33/50;H01L51/50;H01L51/54
代理公司: 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 代理人: 杨磊
地址: 250199 山*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 一种 量子 产率铜 纳米 荧光 及其 制备 方法 led 中的 应用
【权利要求书】:

1.铜纳米团簇荧光纳米花在制备LED中的应用,该铜纳米团簇荧光纳米花是由化学成分为Cu4I4的片状物组成的纳米花结构,所述Cu4I4是以Cu为核,以三苯基膦为配体的四核铜纳米团簇;该铜纳米团簇荧光纳米花是以二甲基亚砜为良溶剂,以丙三醇为不良溶剂,诱导Cu4I4自组装得到,良溶剂和不良溶剂的体积比为1:(1-3)。

2.一种包括铜纳米团簇荧光纳米花的LED,该铜纳米团簇荧光纳米花是由化学成分为Cu4I4的片状物组成的纳米花结构,所述Cu4I4是以Cu为核,以三苯基膦为配体的四核铜纳米团簇;该铜纳米团簇荧光纳米花是以二甲基亚砜为良溶剂,以丙三醇为不良溶剂,诱导Cu4I4自组装得到,良溶剂和不良溶剂的体积比为1:(1-3)。

3.根据权利要求2所述的LED,其特征在于,所述的铜纳米团簇荧光纳米花直径30-50 μm,组成纳米花的片状物长度15-20 μm,宽度5-8 μm。

4. 根据权利要求2所述的LED,其特征在于,所述的铜纳米团簇荧光纳米花的荧光光谱显示,激发波长为290-400 nm,发射波长为450-620 nm。

5.权利要求2所述的LED的制备方法,包括步骤如下:

将铜纳米团簇荧光纳米花粉末研磨均匀,然后与不同颜色荧光粉混合均匀,然后通过胶沉积在LED芯片上,固化,即得不同颜色的LED。

6.根据权利要求5所述的LED的制备方法,其特征在于,将铜纳米团簇荧光纳米花与蓝色荧光粉按照1:(0.7-0.8)质量比混合,制备得到白光LED;

胶沉积所用的胶为高折光LED贴片硅胶A胶和B胶,A胶和B胶的质量比为1:4;

所述的LED芯片的激发波长为365 nm,光效为0.9 lm/W;

固化处理的烘干温度为60 ℃,固化时间为3小时。

7.一种铜纳米团簇荧光纳米花的制备方法,该铜纳米团簇荧光纳米花是由化学成分为Cu4I4的片状物组成的纳米花结构,所述Cu4I4是以Cu为核,以三苯基膦为配体的四核铜纳米团簇;包括步骤如下:

以二甲基亚砜为良溶剂,以丙三醇为不良溶剂,诱导Cu4I4自组装得到,良溶剂和不良溶剂的体积比为1:(1-3)。

8.根据权利要求7所述的铜纳米团簇荧光纳米花的制备方法,其特征在于,诱导Cu4I4自组装的过程为:

将Cu4I4超声溶解到二甲基亚砜中,加入丙三醇,进行涡旋,静置,离心,洗涤后烘干,即得铜纳米团簇荧光纳米花粉末。

9. 根据权利要求7所述的铜纳米团簇荧光纳米花的制备方法,其特征在于,Cu4I4分散在二甲基亚砜中的摩尔浓度为0.12~0.14 mmol·L-1

加入丙三醇混合后最终Cu4I4的摩尔浓度为0.06~0.07 mmol·L-1

涡旋时间为20~30 s,静置时间为5-48小时;

离心转速为6000~8000 r/min,离心时间为10~20 分钟。

10.根据权利要求7所述的铜纳米团簇荧光纳米花的制备方法,其特征在于,所述的Cu4I4按如下方法制备得到:

将CuI分散在二氯甲烷溶液中,搅拌均匀,加入三苯基膦,室温下充分搅拌,抽滤,得到白色粉末状固体;

将白色粉末状固体加入到过量的乙腈溶液中,超声分散均匀,除去过量的CuI,抽滤,乙腈洗涤,得到的固体粉末溶于二甲基亚砜溶液中,静置分层,上层逐滴加入甲醇溶液扩散,三天后即得Cu4I4粉末。

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