[发明专利]一种硅光芯片温度传感器在审

专利信息
申请号: 202110275990.X 申请日: 2021-03-15
公开(公告)号: CN112985634A 公开(公告)日: 2021-06-18
发明(设计)人: 郑宇;黄颖 申请(专利权)人: 武汉科宇智联信息技术有限公司
主分类号: G01K11/00 分类号: G01K11/00
代理公司: 武汉蓝宝石专利代理事务所(特殊普通合伙) 42242 代理人: 谢洋
地址: 430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区光*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 芯片 温度传感器
【权利要求书】:

1.一种硅光芯片温度传感器,其特征在于,包括设有二氧化硅包层的输入波导(1)、导入Y型波导(2)、第一传感波导(3)、第二传感波导(4)、导出Y型波导(5)和输出波导(6),所述输入波导(1)的输入端接收光信号输入,所述输入波导(1)的输出端连接所述导入Y型波导(2)的输入端,所述导入Y型波导(2)的一个输出端通过所述第一传感波导(3)连接所述导出Y型波导(5)的一个输入端,所述导入Y型波导(2)的另一个输出端通过所述第二传感波导(3)连接所述导出Y型波导(5)的另一个输入端,所述导出Y型波导(5)的输出端连接所述输出波导(6);

所述第一传感波导(3)包括一条硅波导;所述第二传感波导(4)包括三条紧密并排设置的硅波导,所述第二传感波导(4)中相邻硅波导的间距为纳米级,所述第二传感波导(4)的三条硅波导之间填充有二氧化硅包层,三条并排的硅波导中位于中间的硅波导的两端分别连接所述导入Y型波导(2)的输出端以及所述导出Y型波导(5)的输入端;

在所述第一传感波导(3)中,光信号被束缚在硅波导中传播;在所述第二传感波导(4)中,光信号被束缚在相邻硅波导之间的二氧化硅包层中传播。

2.根据权利要求1所述一种硅光芯片温度传感器,其特征在于,所述输入波导(1)、导入Y型波导(2)、第一传感波导(3)、第二传感波导(4)、导出Y型波导(5)和输出波导(6)均是高度为220nm的硅波导。

3.根据权利要求1所述一种硅光芯片温度传感器,其特征在于,所述第二传感波导(4)中,三条并排设置的硅波导的宽度均为300nm。

4.根据权利要求1~3中任一项所述一种硅光芯片温度传感器,其特征在于,所述第二传感波导(4)中,相邻硅波导的间距为150nm。

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