[发明专利]一种硅光芯片温度传感器在审
| 申请号： | 202110275990.X | 申请日： | 2021-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN112985634A | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 郑宇;黄颖 | 申请（专利权）人： | 武汉科宇智联信息技术有限公司 |
| 主分类号： | G01K11/00 | 分类号： | G01K11/00 |
| 代理公司： | 武汉蓝宝石专利代理事务所(特殊普通合伙) 42242 | 代理人： | 谢洋 |
| 地址： | 430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区光*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 温度传感器 | ||
1.一种硅光芯片温度传感器，其特征在于，包括设有二氧化硅包层的输入波导(1)、导入Y型波导(2)、第一传感波导(3)、第二传感波导(4)、导出Y型波导(5)和输出波导(6)，所述输入波导(1)的输入端接收光信号输入，所述输入波导(1)的输出端连接所述导入Y型波导(2)的输入端，所述导入Y型波导(2)的一个输出端通过所述第一传感波导(3)连接所述导出Y型波导(5)的一个输入端，所述导入Y型波导(2)的另一个输出端通过所述第二传感波导(3)连接所述导出Y型波导(5)的另一个输入端，所述导出Y型波导(5)的输出端连接所述输出波导(6)；
所述第一传感波导(3)包括一条硅波导；所述第二传感波导(4)包括三条紧密并排设置的硅波导，所述第二传感波导(4)中相邻硅波导的间距为纳米级，所述第二传感波导(4)的三条硅波导之间填充有二氧化硅包层，三条并排的硅波导中位于中间的硅波导的两端分别连接所述导入Y型波导(2)的输出端以及所述导出Y型波导(5)的输入端；
在所述第一传感波导(3)中，光信号被束缚在硅波导中传播；在所述第二传感波导(4)中，光信号被束缚在相邻硅波导之间的二氧化硅包层中传播。
2.根据权利要求1所述一种硅光芯片温度传感器，其特征在于，所述输入波导(1)、导入Y型波导(2)、第一传感波导(3)、第二传感波导(4)、导出Y型波导(5)和输出波导(6)均是高度为220nm的硅波导。
3.根据权利要求1所述一种硅光芯片温度传感器，其特征在于，所述第二传感波导(4)中，三条并排设置的硅波导的宽度均为300nm。
4.根据权利要求1～3中任一项所述一种硅光芯片温度传感器，其特征在于，所述第二传感波导(4)中，相邻硅波导的间距为150nm。
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