[发明专利]一种提升PVT法制备碳化硅晶体生长速率的方法在审
| 申请号： | 202110276280.9 | 申请日： | 2021-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN113026095A | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 哈尔滨市伟晨专利代理事务所(普通合伙) 23209 | 代理人： | 荣玲 |
| 地址： | 150000 黑龙江省哈尔滨市松北区智谷二街3*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提升 pvt 法制 碳化硅 晶体生长 速率 方法 | ||
1.一种提升PVT法制备碳化硅晶体生长速率的方法，其特征在于，以不同粒径碳化硅粉混合制备碳化硅粉料，将所述碳化硅粉料放入石墨坩埚中，将碳化硅籽晶粘接到石墨坩埚盖上，将石墨坩埚放入晶体生长炉中，真空条件下加热至400～800℃并保持2h，充入氩气后继续加热至晶体生长温度开始晶体生长，完成晶体生长后自然冷却到500℃，充入氩气到常压，继续自然冷却得到碳化硅晶体。
2.根据权利要求1所述一种提升PVT法制备碳化硅晶体生长速率的方法，其特征在于，所述不同粒径碳化硅粉混合是由粒径为10～200μm的碳化硅粉和粒径为50～500μm的碳化硅粉混合制得碳化硅粉料。
3.根据权利要求1或2所述一种提升PVT法制备碳化硅晶体生长速率的方法，其特征在于，所述碳化硅粉料中粒径为10～200μm的碳化硅粉占粉料总重量的5～60％。
4.根据权利要求3所述一种提升PVT法制备碳化硅晶体生长速率的方法，其特征在于，所述碳化硅粉料中粒径为10～200μm的碳化硅粉占粉料总重量的5％、10％、15％、20％、25％、30％、35％、40％、45％、50％、55％或60％。
5.根据权利要求4所述一种提升PVT法制备碳化硅晶体生长速率的方法，其特征在于，碳化硅粉料在石墨坩埚底部的摊铺厚度为50～150mm。
6.根据权利要求5所述一种提升PVT法制备碳化硅晶体生长速率的方法，其特征在于，所述真空条件是指将石墨坩埚内部抽真空至10-4torr。
7.根据权利要求6所述一种提升PVT法制备碳化硅晶体生长速率的方法，其特征在于，所述充入氩气的气压为0.1～1atm。
8.根据权利要求7所述一种提升PVT法制备碳化硅晶体生长速率的方法，其特征在于，所述加热的升温速率均为200～800℃/h。
9.根据权利要求8所述一种提升PVT法制备碳化硅晶体生长速率的方法，其特征在于，所述晶体生长温度为坩埚上盖中心温度为1800～2300℃。
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