[发明专利]气体检查方法、基板处理方法以及基板处理系统在审
申请号: | 202110276490.8 | 申请日: | 2021-03-15 |
公开(公告)号: | CN113451173A | 公开(公告)日: | 2021-09-28 |
发明(设计)人: | 松田梨沙子;网仓纪彦 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 气体 检查 方法 处理 以及 系统 | ||
1.一种对气体供给部进行检查的气体检查方法,其中,所述气体供给部用于向腔室内供给气体,
所述气体供给部具备:
配管,其以将气体源与所述腔室连起来的方式被连接;
流量控制器,其设置于所述配管;
初级阀,其设置于所述流量控制器的上游侧;以及
次级阀,其设置于所述流量控制器的下游侧,
其中,所述流量控制器具备:
节流孔;
初级压力计,其设置于所述节流孔的上游侧;以及
次级压力计,其设置于所述节流孔的下游侧,
所述方法包括以下工序:
工序(a),在所述流量控制器中设定从输入将所述次级阀开启的信号起经过了期间t的时间点的、所述流量控制器的所述节流孔的下游侧的压力的阈值P0及所述压力的标准偏差的阈值σ0;
工序(b),输入将所述次级阀开启的信号;
工序(c),使用所述次级压力计来测定从输入将所述次级阀开启的信号起经过了期间t的时间点的、所述流量控制器的所述节流孔的下游侧的压力P;
工序(d),使用所述次级压力计来测定从输入将所述次级阀开启的信号起经过了期间t的时间点的、所述流量控制器的所述节流孔的下游侧的压力的标准偏差σ;以及
工序(e),将在所述工序(c)中测定出的压力P与在所述工序(a)中设定的所述压力的阈值P0进行比较,并将在所述工序(d)中测定出的压力的标准偏差σ与在所述工序(a)中设定的所述压力的标准偏差的阈值σ0进行比较,用以判定所述次级阀的开度是否正常。
2.根据权利要求1所述的气体检查方法,其特征在于,
根据在所述次级阀正常开启的情况下通过所述次级压力计测定出的所述压力及所述压力的标准偏差,来设定作为所述次级阀的检查基准的所述压力的阈值P0及所述压力的标准偏差的阈值σ0。
3.根据权利要求1所述的气体检查方法,其特征在于,
在所述次级阀正常的状态下,多次测定所述压力及所述压力的标准偏差,基于得到的测定值来决定所述压力的阈值P0及所述压力的标准偏差的阈值σ0。
4.根据权利要求3所述的气体检查方法,其特征在于,
将所述压力的阈值P0设为在所述次级阀正常的状态下测定出的所述压力的最大值乘以任意的系数所得到的值,将所述压力的标准偏差的阈值σ0设为在所述次级阀正常的状态下测定出的所述压力的标准偏差的最大值乘以所述任意的系数所得到的值。
5.根据权利要求4所述的气体检查方法,其特征在于,
在所述压力和所述压力的标准偏差中的任一方的情况下,所述任意的系数均为1~8。
6.根据权利要求1~5中的任一项所述的气体检查方法,其特征在于,
所述工序(a)中设定的从输入将所述次级阀开启的信号起经过了期间t的时间点的、所述流量控制器的所述节流孔的下游侧的压力的阈值P0为10kPa~30kPa,压力的标准偏差的阈值σ0为1kPa~5kPa。
7.根据权利要求1~5中的任一项所述的气体检查方法,其特征在于,
所述工序(a)、所述工序(c)以及所述工序(d)中的期间t为5秒~10秒。
8.根据权利要求1~5中的任一项所述的气体检查方法,其特征在于,
还包括工序(f),在所述工序(e)中判定为在所述工序(c)中测定出的所述压力P为在所述工序(a)中设定的所述压力的阈值P0以下且在所述工序(d)中测定出的所述压力的标准偏差σ为在所述工序(a)中设定的所述压力的标准偏差的阈值σ0以下的情况下,在所述工序(f)中判定为将所述次级阀开启的动作正常。
9.一种基板处理方法,包含根据权利要求1~8中的任一项所述的气体检查方法,
在该基板处理方法中,使用从所述气体供给部供给的气体来对基板进行处理。
10.一种基板处理系统,使用气体来对基板进行处理,所述基板处理系统具备:
腔室,其具有气体供给口和气体排出口;
气体供给部,其向所述腔室供给气体;以及
控制部,
其中,所述气体供给部具备:
配管,其以将气体源与所述腔室连起来的方式被连接;
流量控制器,其设置于所述配管;
初级阀,其设置于所述流量控制器的上游侧;以及
次级阀,其设置于所述流量控制器的下游侧,
其中,所述流量控制器具备:
节流孔;
初级压力计,其设置于所述节流孔的上游侧;以及
次级压力计,其设置于所述节流孔的下游侧,
所述控制部控制所述系统以执行包括以下工序的处理:
工序(a),在所述流量控制器中设定从输入将所述次级阀开启的信号起经过了期间t的时间点的、所述流量控制器的所述节流孔的下游侧的压力的阈值P0及所述压力的标准偏差的阈值σ0;
工序(b),输入将所述次级阀开启的信号;
工序(c),使用所述次级压力计来测定从输入将所述次级阀开启的信号起经过了期间t的时间点的、所述流量控制器的所述节流孔的下游侧的压力值P;
工序(d),使用所述次级压力计来测定从输入将所述次级阀开启的信号起经过了期间t的时间点的、所述流量控制器的所述节流孔的下游侧的压力的标准偏差σ;以及
工序(e),将在所述工序(c)中测定出的压力P与在所述工序(a)中设定的所述压力的阈值P0进行比较,并将在所述工序(d)中测定出的压力的标准偏差σ与在所述工序(a)中设定的所述压力的标准偏差的阈值σ0进行比较,用以判定所述次级阀的开度是否正常。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造