[发明专利]一种POLO-IBC太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种POLO-IBC太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、对硅片进行制绒；

S2、将制绒后的硅片置于富臭氧的去离子水中，在硅片的背面形成隧穿氧化层；

S3、在隧穿氧化层上形成n型非晶硅层；

S4、采用磷扩散工艺在硅片的正面形成n+轻掺杂层，并将硅片背面的n型非晶硅晶层转化为n型多晶硅层；

S5、对n型多晶硅层和隧穿氧化层进行激光消融刻蚀，形成P型区，未被刻蚀的区域为N型区；

S6、热氧退火，减薄隧穿氧化层的厚度以形成微孔，以及通过磷扩散在隧穿氧化层中形成针孔隧穿结构，并在N型区和P型区上形成SiO₂钝化层；在温度为650～750℃、压力为100～200mTor的条件下，通入300～400sccm的氧气；

S7、在n+轻掺杂层和SiO₂钝化层上分别依次形成AlO_x钝化层和SiN_x减反层；

S8、形成N型电极和P型电极；

其中，所述n型非晶硅层的掺杂浓度为2～5*10²⁰cm^-3，n型非晶硅层的方块电阻为40～110Ω/□；

n+轻掺杂层的掺杂浓度0.1～1.5*10²⁰cm^-3，结深为0.3～0.7μm；n+轻掺杂层的方块电阻为150～250Ω/□。

2.如权利要求1所述的POLO-IBC太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤S2中，将制绒后的硅片置于富臭氧的去离子水中1～30min，在硅片的背面形成厚度为0.5～2.5nm的隧穿氧化层。

3.如权利要求1～2任一项所述的POLO-IBC太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述隧穿氧化层为SiO₂层。

4.如权利要求1所述的POLO-IBC太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤S3中，将硅片置于CVD设备中，通入PH₃、SiH₄和N₂气体，在温度为350～650℃的条件下，在隧穿氧化层上形成厚度为50～500nm的n型非晶硅层。

5.如权利要求1所述的POLO-IBC太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤S4中，将硅片置于扩散设备内，向扩散设备通入磷源，在温度为750～1050℃的条件下，扩散70～90min，其中，硅片的背面靠着插舟，正面朝外磷源。

6.如权利要求1或5所述的POLO-IBC太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤S5中，采用掩膜和激光消融的方法来去除部分的n型多晶硅层和隧穿氧化层以形成P型区，所述P型区与N型区交替设置。

7.一种POLO-IBC太阳能电池，其特征在于，其采用权利要求1～5任一项所述的制备方法制备而得，包括硅片，依次设于硅片正面的n+轻掺杂层、AlO_x钝化层和SiN_x减反层；

所述硅片的背面设有N型区和P型区，所述N型区包括依次设置隧穿氧化层、n型多晶硅层、SiO₂钝化层、AlO_x钝化层和SiN_x减反层，所述P型区包括依次设置在SiO₂钝化层、AlO_x钝化层和SiN_x减反层；还包括N型电极和P型电极，所述N型电极与n型多晶硅层导电连接，所述P型电极与硅片导电连接。