[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：基板，具有环形结构和浅槽隔离区，所述浅槽隔离区位于所述环形结构的内侧和外侧，所述环形结构包括相互嵌套的第一环形结构和第二环形结构，所述第一环形结构为有源区，所述第二环形结构为虚拟区，所述虚拟区是不具有实际功能的虚拟结构。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一环形结构嵌套在所述第二环形结构的内侧。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二环形结构嵌套在所述第一环形结构的内侧。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一环形结构和所述第二环形结构具有相似的几何形状。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一环形结构的几何中心和所述第二环形结构的几何中心重合。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一环形结构和所述第二环形结构都具有矩形几何。

7.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述第一环形结构包括沿第一方向延伸的第一边和沿第二方向延伸的第二边，所述第二环形结构包括沿所述第一方向延伸的第三边和沿所述第二方向延伸的第四边，所述第一边与所述第三边平行，所述第二边与所述第四边平行，所述第一方向与所述第二方向相互垂直。

8.如权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述第一边沿所述第一方向具有第一尺寸，所述第二边沿所述第二方向具有第二尺寸，所述第三边沿所述第一方向具有第三尺寸，所述第四边沿所述第二方向具有第四尺寸，所述第一尺寸、所述第二尺寸、所述第三尺寸和所述第四尺寸的范围都是50-500微米。

9.如权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述第一边和所述第三边之间的第一距离的范围是50-60微米。

10.如权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述第二边和所述第四边之间的第二距离的范围是50-100微米。

11.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一环形结构的线宽大于等于200纳米。

12.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二环形结构的线宽等于所述第一环形结构的线宽。

13.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供基板；

在所述基板上形成环形结构和浅槽隔离区，所述浅槽隔离区位于所述环形结构的内侧和外侧，所述环形结构包括相互嵌套的第一环形结构和第二环形结构，所述第一环形结构为有源区，所述第二环形结构为虚拟区，所述虚拟区是不具有实际功能的虚拟结构；

检测所述浅槽隔离区和所述环形结构中存在的缺陷；以及

建立所述环形结构的几何尺寸和所述缺陷之间的关系。

14.如权利要求13所述的制造方法，其特征在于，所述第一环形结构和所述第二环形结构具有相似的几何形状。

15.如权利要求13所述的制造方法，其特征在于，所述第一环形结构和所述第二环形结构都具有矩形几何。

16.如权利要求15所述的制造方法，其特征在于，所述第一环形结构包括沿第一方向延伸的第一边和沿第二方向延伸的第二边，所述第二环形结构包括沿所述第一方向延伸的第三边和沿所述第二方向延伸的第四边，所述第一边与所述第三边平行，所述第二边与所述第四边平行，所述第一方向与所述第二方向相互垂直。