[发明专利]一种蓝绿光增强型的硅基雪崩光电二极管

权利要求书

1.一种蓝绿光增强型的硅基雪崩光电二极管，所述雪崩光电二极管阵列为SACM型APD，包括硅表面吸收层，所述硅表面吸收层两侧为欧姆接触层，所述硅表面吸收层下面依次为：场控层、倍增层非耗尽层，且所述场控层、倍增层和非耗尽层依次连接，所述硅表面吸收层上面为二维类材料，所述二维类材料两侧之上连接有第一电极，所述非耗尽层连接有第二电极，所述二维类材料之上与两第一电极之间铺有蓝绿光波段的增透膜。

2.根据权利要求1所述的蓝绿光增强型的硅基雪崩光电二极管，其特征在于，所述硅表面吸收层为π型硅，低掺杂P型；所述场控层为P型硅；所述倍增层为π型硅，低掺杂P型；所述非耗尽层为N+型硅；所述二维类材料具个体分析是否需要掺杂。

3.根据权利要求1所述的基于蓝绿光增强型的硅基雪崩光电二极管，其特征在于，所述二维类材料与所述硅表面吸收层组成的异质结共同成为雪崩光电二极管的吸收层。

4.根据权利要求1所述的基于蓝绿光增强型的硅基雪崩光电二极管，其特征在于，吸收层位于器件的表层，形成倒装结构，从而使入射的蓝绿光波段能够被充分的吸收。

5.根据权利要求1所述的基于蓝绿光增强型的硅基雪崩光电二极管，其特征在于，所述吸收层上还覆有增透膜。

6.根据权利要求1所述的基于蓝绿光增强型的硅基雪崩光电二极管，所述非耗尽层的面积小于倍增层的面积。

7.根据权利要求1所述的蓝绿光增强型的硅基雪崩光电二极管，所述结构两侧覆有二氧化硅绝缘层，以减少漏电流。