[发明专利]一种高精度过流保护电路

说明书

本发明公开了一种高精度过流保护电路所述电路包括采样输入模块、放大比较模块和钳位限流模块，采样输入模块、放大比较模块以及钳位限流模块依次连接,采样输入模块中，流经驱动管Q1的负载电流IL，在采样电阻Rs上形成采样电压V+，恒流源CS输出的参考电流在电阻Rr上形成参考电压V‑，所述放大比较模块中，采样电压V+和参考电压V‑传输至比较器CMP1的输入端，经放大比较后得到比较信号Vcmp,比较信号Vcmp和参考信号Vref输入至比较器CMP2，触发过流保护时，驱动管的栅端控制信号N_GATE将被CMP2下拉，并由钳位电路CLP钳位至额定值，从而实现电路的过流保护,本电路具有温漂小、精度高、易调试的优点。

技术领域

本发明涉及电源保护技术领域，具体涉及一种高精度过流保护电路。

背景技术

随着电源管理IC和电机控制IC市场的兴起，对于电路保护的需求也是日新月异，其中过流保护是电路保护最重要的一环之一，过流保护电路就是将电源的输出电流限制在一个固定的范围内，避免输出端超过额定负载或短路时，对电源造成损坏 ,以至造成系统不能正常工作，从而是实现对系统或负载的保护，目前过流保护电路的常见设计难点主要在于过流保护点温漂过大、精度较差和保护点调试困难等方面，这些问题限制了过流保护电路的应用范围。

发明内容

为了克服这些技术难点，本发明提供了一种温漂小、精度高、易调试的高精度过流保护电路,所述电路包括采样输入模块、放大比较模块以及钳位限流模块，所述电路包括采样输入模块、放大比较模块以及钳位限流模块，采样输入模块、放大比较模块以及钳位限流模块依次连接，所述采样输入模块包括NMOS管M1，NMOS管M1依次与NMOS管M2、NMOS管M3、NMOS管M4、NMOS管M5、NMOS管M6、NMOS管M7及NMOS管M8相连接，NMOS管M3、NMOS管M4、NMOS管M5及NMOS管M6的漏极依次连接有S1、S2、S3及S4四个烧写位，三极管T1的发射极连接电阻R1，三极管T1连接三极管T2，三极管T2的集电极连接NMOS管M2的漏极，驱动管Q1的源极连接采样电阻Rs，NMOS管M7的漏极连接电阻Rr，所述放大比较模块包括NMOS管M9，NMOS管M9的漏极连接NMOS管M8的漏极，NMOS管M9和NMOS管M10的栅极相连，NMOS管M10和NMOS管M11的漏极相连，NMOS管M11依次连接NMOS管M12和NMOS管M13，NMOS管M12和NMOS管M14通过漏极相连，NMOS管M13和NMOS管M15通过漏极相连，NMOS管M14和NMOS管M15的栅极相连，NMOS管M14的源极连接三极管T3的发射极，三极管T3的基极连接NMOS管M7的漏极，NMOS管M15连接三极管T4的发射极，三极管T4的基极连接驱动管Q1的源极，所述钳位限流模块包括NMOS管M19，NMOS管M19的源极连接NMOS管M13和NMOS管M15的漏极，NMOS管M19和NMOS管M20的漏极连接，NMOS管M20与NMOS管M21通过栅极相连，NMOS管M20的源极连接NMOS管M22的漏极，NMOS管M16与NMOS管M17通过栅极相连，NMOS管M16的漏极连接NMOS管M23的漏极。

作为本发明的一种改进，所述NMOS管M1、NMOS管M9、NMOS管M11、NMOS管M14、NMOS管M16、NMOS管M19及NMOS管M20的漏极和栅极连接在一起，NMOS管M3、NMOS管M4、NMOS管M5、NMOS管M6、NMOS管M7及NMOS管M8的栅极相连， NMOS管M11、NMOS管M12和NMOS管M13的栅极相连，所述NMOS管M10、NMOS管M22、NMOS管M23的栅极相连。

作为本发明的一种改进,所述三极管T1的基极连接三极管T2的基极，三极管T2的集电极与基极相连。