[发明专利]一种快速获取镍电极陶瓷电容器晶粒度的方法

权利要求书

1.一种快速获取镍电极陶瓷电容器晶粒度的方法，其特征在于，镍电极陶瓷电容器包括陶瓷基体、镍电极和电极间的端头，包括如下步骤：

(1)采用切割机或粗磨方式，切割或研磨样品，使样品观察区域裸露在外；

(2)镶嵌：采用热镶嵌方式将样品进行固定，除样品观察区域外，均被具有导电性的热镶嵌料包裹；

(3)粗磨：采用粗磨砂纸，对样品观察区域进行研磨，在50倍显微镜下可观察到镍电极和电极间的端头；

(4)细磨：采用金刚石磨盘并添加金刚石抛光液，对粗磨后的样品观察区域进行细磨，在100倍显微镜下可清晰观察到样品观察区域表面划痕数不多于5条；

(5)粗抛：采用抛光布并添加金刚石抛光液，对细磨后的样品观察区域粗抛光，去除表面应力，在200倍显微镜下可清晰观察到样品观察区域表面划痕数不多于2条；

(6)精抛：采用抛光布和二氧化硅悬浊液，对粗抛后的样品观察区域进行精抛，在200倍显微镜下可清晰观察到样品观察区域表面无划痕；

(7)对表面无划痕的样品观察区域进行电子背散射衍射分析，获取陶瓷基体、镍电极材料晶粒度。

2.根据权利要求1所述的一种快速获取镍电极陶瓷电容器晶粒度的方法，其特征在于，所述步骤(3)的具体操作如下：

将磨抛机转速设置为200-250rad/min，压力设置为10-15N，使用300目砂纸对样品观察区域进行研磨；将磨抛机转速设置为200-250rad/min，压力设置为10-15N，使用800目砂纸对样品观察区域进行粗磨，时间为5min，取下样品清水清洗干净后，放置在50倍显微镜下，若可观察到镍电极和电极间的端头，则样品粗磨完毕，反之在800目砂纸重复操3min，直至在50倍显微镜下可观察到镍电极和电极间的端头为止。

3.根据权利要求1所述的一种快速获取镍电极陶瓷电容器晶粒度的方法，其特征在于，所述步骤(4)的具体操作如下：

对粗磨后的样品进行细磨，使用9μm金刚石磨盘并添加金刚石抛光液进行细磨，将磨抛机转速设置为150-200rad/min，压力设置为9-12N，时间为5-10min，完成后对样品进行清洗；之后使用3μm金刚石磨盘并添加金刚石抛光液进行细磨，将磨抛机转速设置为150-200rad/min，压力设置为9-12N，时间为3-5min，完成后对样品进行清洗；之后使用1μm金刚石磨盘并添加金刚石抛光液进行细磨，将磨抛机转速设置为150-200rad/min，压力设置为9-12N，，时间为3-5min，完成后对样品进行清洗；在100倍显微镜下可清晰观察到样品观察区域表面划痕数不多于5条，则细磨成功。

4.根据权利要求1所述的一种快速获取镍电极陶瓷电容器晶粒度的方法，其特征在于，所述步骤(5)的具体操作如下：

对细磨后的样品进行粗抛，使用9μm抛光布并添加9μm抛光液进行粗抛，将磨抛机转速设置为150-200rad/min，压力设置为8-10N，时间为5-10min，完成后对样品进行清洗；之后使用3μm抛光布并添加3μm抛光液进行粗抛，将磨抛机转速设置为150-200rad/min，压力设置为8-10N，时间为3-5min，完成后对样品进行清洗；之后使用1μm抛光布并添加1μm抛光液进行粗抛，将磨抛机转速设置为150-200rad/min，压力设置为8-10N，，时间为3-5min，完成后对样品进行清洗；在200倍显微镜下可清晰观察到样品观察区域表面划痕数不多于2条，则粗抛成功。

5.根据权利要求1所述的一种快速获取镍电极陶瓷电容器晶粒度的方法，其特征在于，所述步骤(6)的具体操作如下：

对粗抛后的样品进行精抛，使用50nm抛光布并添加50nm抛光液进行精抛，将磨抛机转速设置为150-200rad/min，压力设置为8-10N，时间为10-15min，完成后对样品进行清洗；将样品放置在金相显微200倍下观察，可清晰观察到样品表面无划痕，则精抛成功，反之则需在50nm抛光布上再进行精抛，直至在200倍显微镜下可清晰观察到样品表面无划痕为止。