[发明专利]一种单层或少层二硫化钨纳米材料的制备方法

权利要求书

1.一种单层或少层二硫化钨纳米材料的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

步骤一：将2.38～4.76g六氯化钨加入到30～60mL的乙醇溶液中磁力搅拌至完全溶解形成黄色的澄清溶液A；

步骤二：在溶液A中加入2.25～9.02g硫代乙酰胺搅拌均匀形成混合溶液；

步骤三：将上述混合溶液转移至100mL聚四氟乙烯反应釜进行均相反应，反应温度为120～160℃，反应时间为4～24h，反应结束后自然冷却至室温；

步骤四：打开反应釜，取出产物依次采用无水乙醇和去离子水洗涤并离心分离后置于温度为-40～-70℃，真空度为10～40Pa冷冻干燥机内干燥得到单层或少层二硫化钨纳米材料。

2.根据权利要求1所述的单层或少层二硫化钨纳米材料的制备方法，其特征在于：所述步骤一六氯化钨的浓度为0.2mol/L。

3.根据权利要求1所述的单层或少层二硫化钨纳米材料的制备方法，其特征在于：所述步骤一磁力搅拌速度为300～800r/min，搅拌时间15～60min。

4.根据权利要求1所述的单层或少层二硫化钨纳米材料的制备方法，其特征在于：所述步骤二加入的硫代乙酰胺与六氯化钨的摩尔比为5～10：1。

5.根据权利要求1所述的单层或少层二硫化钨纳米材料的制备方法，其特征在于：所述步骤四采用无水乙醇和去离子水重复洗涤4～6次。