[发明专利]阵列基板、其制作方法、显示面板及显示装置在审

专利信息
申请号: 202110278051.0 申请日: 2021-03-15
公开(公告)号: CN113053981A 公开(公告)日: 2021-06-29
发明(设计)人: 徐元杰;龙跃 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;H01L21/77
代理公司: 北京市立方律师事务所 11330 代理人: 张筱宁;王存霞
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 阵列 制作方法 显示 面板 显示装置
【权利要求书】:

1.一种阵列基板,包括显示区,所述显示区包括摄像区,其特征在于,所述阵列基板包括:

衬底;

驱动电路结构,包括用于形成透明引线的至少一个透明导电层以及用于构成多个像素驱动电路的有源层和多个金属层,所述透明导电层与所述有源层叠层且接触,和/或一个所述透明导电层与一个所述金属层叠层且接触;

阳极层,位于驱动电路结构远离所述衬底的一侧,包括多个阳极,其中,位于所述摄像区的所述阳极通过所述透明引线与相应的所述像素驱动电路电连接。

2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,

多个所述金属层包括:位于所述有源层远离所述衬底一侧的第一栅极层、位于所述第一栅极层远离所述有源层一侧的第二栅极层、位于所述第二栅极层远离所述第一栅极层一侧的第一源漏电极层以及位于所述第一源漏电极层远离所述第二栅极层一侧的第二源漏电极层;

所述驱动电路结构还包括:位于所述有源层与所述第一栅极层之间的第一绝缘层、位于所述第一栅极层与所述第二栅极层之间的第二绝缘层、位于所述第二栅极层和所述第一源漏电极层之间的第三绝缘层、位于所述第一源漏电极层和所述第二源漏电极层之间的第四绝缘层以及位于所述第二源漏电极层和所述阳极层之间的第五绝缘层。

3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述像素驱动电路包括驱动晶体管,所述第一源漏电极层包括所述驱动晶体管的漏电极,位于所述摄像区的所述阳极通过所述透明引线与相应的所述像素驱动电路中的驱动晶体管的漏极电连接;

所述至少一个透明导电层包括:与所述第一栅极层叠层且接触的第一透明导电层,和/或与所述第二栅极层叠层且接触的第二透明导电层,和/或与所述第二源漏电极层叠层且接触的第三透明导电层;

所述第一透明导电层包括第一透明引线,所述第二透明导电层包括第二透明引线,所述第三透明导电层包括第三透明引线;

所述透明引线包括所述第一透明引线、所述第二透明引线和所述第三透明引线中的一个或多个。

4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述显示区还包括常规显示区,位于所述常规显示区的阳极的面积大于位于所述摄像区的阳极的面积,所述像素驱动电路包括位于所述常规显示区的多个第一像素驱动电路和位于所述摄像区的多个第二像素驱动电路;

位于所述常规显示区的每个阳极与一个所述第一像素驱动电路电连接,位于所述摄像区的阳极通过所述透明引线与一个所述第二像素驱动电路电连接。

5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,

在所述摄像区内,所述第一栅极层包括第一搭接结构和第二搭接结构,所述第一搭接结构和所述第二搭接结构分别与所述第一透明引线的两端接触;所述第一源漏电极层还包括第五搭接结构,所述驱动晶体管的漏极与所述第一搭接结构接触,所述第五搭接结构分别与所述阳极和所述第二搭接结构电连接;

在所述摄像区内,所述第二栅极层包括第三搭接结构和第四搭接结构,所述第三搭接结构和所述第四搭接结构分别与所述第二透明引线的两端接触,所述第三搭接结构还与所述驱动晶体管的漏极接触,所述第四搭接结构与所述阳极电连接;

在所述摄像区内,所述第二源漏电极层包括第六搭接结构,所述第六搭接结构和所述阳极分别与所述第三透明引线的两端接触,所述第六搭接结构与所述驱动晶体管的漏极电连接。

6.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述显示区还包括常规显示区,所述阵列基板还包括边框区,所述像素驱动电路包括位于所述常规显示区的多个第一像素驱动电路和位于所述边框区的多个第二像素驱动电路;

位于所述常规显示区的每个阳极与一个所述第一像素驱动电路电连接,位于所述摄像区的阳极通过所述透明引线与一个所述第二像素驱动电路电连接。

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