[发明专利]针对SRAM图形OPC一致性检测的方法在审
申请号: | 202110278678.6 | 申请日: | 2021-03-15 |
公开(公告)号: | CN113051866A | 公开(公告)日: | 2021-06-29 |
发明(设计)人: | 苏耀;陈翰;顾婷婷;魏芳 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | G06F30/398 | 分类号: | G06F30/398 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 周耀君 |
地址: | 201315*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 针对 sram 图形 opc 一致性 检测 方法 | ||
本发明提供了一种针对SRAM图形OPC一致性检测的方法,包括:提供SRAM图形,图形具有拐角;获取OPC基准单元;对SRAM图形进行匹配,挑选出SRAM图形上OPC差异片段数量大于或等于3的边,从该边上选出靠近拐角处的OPC差异片段作为拐角OPC差异片段;若拐角OPC差异片段的OPC基准单元与SRAM图形的绝对差值大于第一设定值,则对相邻OPC差异片段的OPC基准单元添加与第一设定值相反并且是二分之一第一设定值的公差,否则,对该OPC差异片段的OPC基准单元添加与OPC基准单元与SRAM图形的绝对差值相同的公差,对相邻OPC差异片段的OPC基准单元添加与OPC基准单元与SRAM图形的绝对差值相反的值的公差;以调整后的OPC基准单元对SRAM图形进行OPC处理。最终提高SRAM图形中重复单元的OPC结果的一致性。
技术领域
本发明涉及半导体技术领域,尤其是涉及一种针对SRAM图形OPC一致性检测的方法。
背景技术
目前,在对版图中SRAM图形的OPC结果的检查中,通过使用SRAM图形特定检测算法得到OPC修正后尺寸一致数量最多的图形,以此作为对SRAM图形OPC结果检查的最小检测单元,利用该最小单元对版图进行扫描匹配,在所有SRAM图形中筛选出与之尺寸不一致的图形,针对各处位置上的OPC差异,调试多种OPC测试程序,再对每个程序所得到的结果进行OPC一致性检测,根据检测结果,选出OPC一致性最优的程序。
然而,版图上的SRAM图形均为重复单元,由于OPC算法的不唯一性,其修正结果具有一定地随机性,导致对SRAM区域同种图形的修正无法保证全部一致,通常会在OPC结束后检测修正结果的一致性。由于OPC程序算法的不唯一性,导致OPC结果具有一定的随机性,该现象会给SRAM图形OPC一致性的判定引入干扰,会给测试结果带来干扰,并且大量地分批试验十分地占用OPC资源以及人力,对于OPC高效出版非常不利。
发明内容
本发明的目的在于提供一种针对SRAM图形OPC一致性检测的方法,可以提高SRAM图形中重复单元的OPC结果的一致性。为了达到上述目的,本发明提供了一种针对SRAM图形OPC一致性检测的方法,包括:
提供SRAM图形的原始版图,所述SRAM图形具有拐角;
获取所述SRAM图形的最小单元,并将其形状和尺寸作为OPC基准单元的形状和尺寸;
利用所述OPC基准单元对所述SRAM图形进行匹配,挑选出所述SRAM图形上OPC差异片段数量大于或等于3的边,从该边上选出靠近拐角处的OPC差异片段作为拐角OPC差异片段;
若所述拐角OPC差异片段的OPC基准单元与SRAM图形的绝对差值大于第一设定值,则对相邻OPC差异片段的OPC基准单元添加与第一设定值相反并且是二分之一第一设定值的公差;
若所述拐角OPC差异片段的OPC基准单元与SRAM图形的绝对差值小于或等于第一设定值,则对该OPC差异片段的OPC基准单元添加与OPC基准单元与SRAM图形的绝对差值相同的公差,对相邻OPC差异片段的OPC基准单元添加与OPC基准单元与SRAM图形的绝对差值相反的值的公差;
以调整后的OPC基准单元对所述SRAM图形进行OPC处理。
可选的,在所述的针对SRAM图形OPC一致性检测的方法中,获取所述SRAM图形的最小单元的方法包括:
利用原始版图中SRAM图形在有源层和孔层的层次上的关联性,获取SRAM图形的最小单元。
可选的,在所述的针对SRAM图形OPC一致性检测的方法中,判断OPC差异片段的方法包括:
若所述OPC基准单元和所述SRAM图形非重合,则此OPC基准单元为OPC差异片段。
可选的,在所述的针对SRAM图形OPC一致性检测的方法中,所述SRAM图形包括2D图形。
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