[发明专利]高抗辐射存储器件及其制备方法

权利要求书

1.一种高抗辐射存储器件，其特征在于，所述存储器件包括；

衬底；

形成在所述衬底上的碳纳米管晶体管；

碳纳米管存储单元，所述碳纳米管存储单元形成在所述碳纳米管晶体管的上方，所述碳纳米管存储单元由绝缘层、金属阻挡层和碳纳米管膜层上中下堆叠组成，并通过金属通孔与所述碳纳米管晶体管的漏极垂直电相连。

2.根据权利要求1所述的高抗辐射存储器件，其特征在于，所述碳纳米管膜层通过多次旋涂碳纳米管溶液并后烘形成。

3.根据权利要求1所述的高抗辐射存储器件，其特征在于，所述碳纳米管晶体管通过CMOS互联工艺与所述碳纳米管存储单元相连。

4.根据权利要求1至3任一所述的高抗辐射存储器件，其特征在于，所述衬底为硅片、氮化硅、石英、玻璃和氧化铝中的至少一种。

5.一种高抗辐射存储器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

在衬底的上方制备碳纳米管晶体管；

制备连接所述碳纳米管晶体管漏极和碳纳米管存储单元的金属通孔；

在所述金属通孔的顶部涂布碳纳米管膜层、淀积金属阻挡层、光刻并刻蚀金属阻挡层与碳纳米管膜层，沉积绝缘层，得到碳纳米管存储单元；

将所述碳纳米管存储单元的电极通过所述金属通孔与所述碳纳米管晶体管的漏极垂直电相连。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述在所述金属通孔的顶部涂布碳纳米管膜层、淀积金属阻挡层、光刻并刻蚀金属阻挡层与碳纳米管膜层，沉积绝缘层，得到碳纳米管存储单元，包括：

多次旋涂碳纳米溶液后烘干，得到目标厚度的碳纳米管膜层；

沉积金属阻挡层；

光刻并刻蚀所述碳纳米管膜层和所述金属阻挡层；

继续沉积所述绝缘层。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述碳纳米管溶液浓度范围为0.6 ~ 1mg/ml。

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，旋涂速度从第一速度逐渐增大至第二速度，所述第二速度低于1000 rpm。

9.根据权利要求5至8任一所述的方法，其特征在于，所述将所述碳纳米管存储单元的电极通过所述金属通孔与所述碳纳米管晶体管的漏极垂直电相连，包括：

通过CMOS互联工艺，将所述碳纳米管存储单元的电极引出，实现CMOS工艺集成制备由所述碳纳米管晶体管与所述碳纳米管存储单元构成的存储器。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述通过CMOS互联工艺，将所述碳纳米管存储单元的电极引出，包括：

在所述衬底的表面沉积介质层，刻蚀所述介质层和所述绝缘层形成连接所述碳纳米管晶体管的深接触孔位置；

继续旋涂BARC和光刻胶，刻蚀所述BARC、所述介质层和所述绝缘层，形成连接所述碳纳米管存储单元的接触孔位置；

沉积金属形成金属通孔和电极。