[发明专利]阵列基板及显示面板

说明书

本发明提供一种阵列基板及显示面板。阵列基板设有多排像素单元；每一像素单元均设有晶体管区，在所述晶体管区内设有主晶体管单元、次晶体管单元以及共享晶体管单元；所述共享晶体管单元包括源极和漏极；每一排所述像素单元设有一共享金属走线；所述共享金属走线设于所述晶体管区上方且沿该排所述像素单元的排布方向延伸，并依次电连接至每一像素单元的所述共享晶体管单元的源极。本发明采用氧化铟锡材质的共享金属走线电连接至每一像素单元的所述共享晶体管单元的源极，实现了共享晶体管单元的源极不用贯穿像素区设置，从而提升了像素区的开口率，提升了显示面板的穿透率；共享金属走线将共享晶体管单元连接，能统一控制共享晶体管单元的漏电。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种阵列基板及显示面板。

背景技术

多畴取向液晶显示(Multi-domain alignment liquid crystal displays，MVALCDs)凭借高对比和广视角的优势在大尺寸液晶显示和电视机应用中得到了广泛的应用。随着屏幕尺寸向大屏化的演化，八畴的像素设计以其优异的视角表现而在大尺寸显示器中受到重视。

如图1所示，为现有的一种八畴像素结构的阵列基板平面结构示意图，该阵列基板91包括晶体管区901以及位于其上下两侧的主像素区902和次像素区903，晶体管区901主要采用3T结构。

如图2所示，为现有的另一种八畴像素结构的阵列基板平面结构示意图，该阵列基板92利用子数据屏蔽架构(Sub Data Shiled，SDS)设计，在图1所示架构的基础上去除数据线(Data)侧的公共电极(ACOM)，采用子像素电极(Sub PE)与数据线交叠，屏蔽数据线电场，次像素区903的子像素电极形成对主像素区902的子像素电极半包围结构，减小主像素区902的子像素电极与数据线的耦合电容，从而在不影响视角品味的基础上达到增大开口率(也称透光率)近10％目的。SDS架构可以大幅提高液晶面板的穿透率近10％，从而提升画质，提高产品的竞争力。

但是上述图2所示像素结构中3T结构的共享晶体管904的漏极均是按照纵列方式排布，且都采用不透明的金属材质制作漏极，该漏极贯穿主像素区902和次像素区903，导致主像素区902和次像素区903的开口率低。

因此，十分有必要提出一种新的阵列基板及显示面板以实现高开口率的目的。

发明内容

本发明的目的在于，提供一种阵列基板及显示面板，用以解决现有的八畴像素结构中3T结构的共享晶体管的漏极均是按照纵列方式排布，且都采用不透明的金属材质制作漏极，该漏极贯穿主像素区和次像素区，导致主像素区和次像素区的开口率低的技术问题。

为实现上述目的，本发明提供一种阵列基板，设有多排像素单元；每一像素单元均设有晶体管区，在所述晶体管区内设有主晶体管单元、次晶体管单元以及共享晶体管单元；所述共享晶体管单元包括源极和漏极；每一排所述像素单元设有一共享金属走线；所述共享金属走线设于所述晶体管区上方且沿该排所述像素单元的排布方向延伸，并依次电连接至每一像素单元的所述共享晶体管单元的源极。

进一步地，所述共享晶体管单元包括层叠设置的玻璃基板、第一金属层、栅极绝缘层、第二金属层、钝化层以及所述共享金属走线；所述第一金属层设于所述玻璃基板上；所述栅极绝缘层设于所述玻璃基板上并覆盖所述第一金属层；所述第二金属层设于所述栅极绝缘层上；所述钝化层设于所述栅极绝缘层上并覆盖所述第二金属层，并设有过孔裸露所述第二金属层的上表面；所述共享金属走线设于所述钝化层上并穿过所述过孔与所述第二金属层电连接。

进一步地，所述共享金属走线在对应所述过孔位置设有加宽部，所述加宽部朝向所述晶体管区一侧凸出于所述共享金属走线的边缘。

进一步地，所述像素单元包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素，所述共享金属走线与所述蓝色子像素电连接。

进一步地，所述晶体管区内设有扫描线，所述共享金属走线与所述扫描线平行设置。