[发明专利]一种基于二维材料的微流通道的制备方法和微流控制器件

权利要求书

1.一种基于二维材料的微流通道的制备方法，包括以下步骤：

在衬底上获得二维材料；

在所述二维材料上通过磁控溅射或气相沉积来沉积无机薄膜；以及

释放所述无机薄膜中的应力使得所述二维材料产生形变，从而在所述二维材料和所述衬底的界面之间形成微流通道，

其中，所述释放所述无机薄膜中的应力使得所述二维材料产生形变包括：

将所述薄膜置于潮湿环境中或者将所述薄膜与水接触从而激发所述二维材料产生形变，

其中，所述在衬底上获得二维材料包括：通过沉积方法、外延方法或析出方法在所述衬底上生长二维材料，或者将二维材料转移到所述衬底上。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述衬底包括蓝宝石、氮化硅或铜箔。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述方法还包括：

在所述生长二维材料前，对所述衬底进行预处理，以使得所述衬底的表面平整。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述二维材料包含单层或多层的二维材料。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述无机薄膜包含硅、金属或金属氧化物。

6.根据前述任一项权利要求所述的方法，其中，所述方法还包括：

在所述二维材料上沉积无机薄膜之前，在所述二维材料上沉积保护层。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述方法还包括：

对所述无机薄膜通过掩膜曝光的方式进行图案化处理以控制所述微流通道形成的区域和方向。

8.一种微流控制器件，包括：

衬底；

二维材料，其布置在所述衬底上；

无机薄膜，其布置在所述二维材料上方；以及

微流通道，其形成在所述二维材料和所述衬底的界面之间，其中，所述微流通道通过释放所述无机薄膜中的应力使得所述二维材料产生形变而形成，所述释放所述无机薄膜中的应力使得所述二维材料产生形变包括将所述薄膜置于潮湿环境中或者将所述薄膜与水接触从而激发所述二维材料产生形变。