[发明专利]一种碳化硅场效应管的控制电路、功率模块及电力变换器

权利要求书

1.一种碳化硅场效应管的控制电路，其特征在于，包括供电电路、驱动电阻、供电启动电路、延时电路和第三开关管，所述供电电路、驱动电阻以及待控制的SIC MOSFET电路依次连接，供电启动电路连接延时电路，供电启动电路和延时电路共同设置在供电电路和第三开关管之间，供电启动电路输出电压的正负控制第三开关管的开通或关断；

所述供电电路包括并联的第一供电支路和第二供电支路，所述第一供电支路包括依次串联的第一电源和第一开关管，所述第二供电支路包括依次串联的第二电源和第二开关管；

延时电路包括依次串联的第六电阻和电容，电容接地；第六电阻和电容之间的中间点与第三开关管的栅极连接，第三开关管的漏极与待控制的SIC MOSFET电路的栅极连接；

所述供电启动电路包括第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、运算放大器OP1和外接电源VCC，运算放大器OP1的同相输入端分别连接第三电阻R3的一端和第五电阻R5的一端，运算放大器OP1的反向输入端分别连接第二电阻R2的一端和第四电阻R4的一端，运算放大器OP1的负电源端连接地，运算放大器OP1的正电源端连外接电源VCC，运算放大器OP1的输出端分别连接第四电阻R4的另一端和第六电阻R6的一端，第二电阻R2的另一端分别连接第一开关管Q1的源极、第二开关管Q2的漏极以及驱动电阻R1的一端，第三电阻的R3的另一端分连接驱动电阻R1的另一端、第三开关管Q3的漏极以及待控制的SIC MOSFET电路的栅极。

2.根据权利要求1所述的碳化硅场效应管的控制电路，其特征在于，所述延时电路用于控制第三开关管的开通时间。

3.根据权利要求1所述的碳化硅场效应管的控制电路，其特征在于，所述第一电源的负极端和第二电源的正极端分别与地连接。

4.根据权利要求1所述的碳化硅场效应管的控制电路，其特征在于，所述第一供电支路和第二供电支路的中间点连接驱动电阻的一端，驱动电阻的另一端连接待控制的SICMOSFET电路的栅极。

5.一种功率模块，其特征在于，所述功率模块的电力变换电路的开关管采用权利要求1-4任一项所述的碳化硅场效应管的控制电路提供驱动电压。

6.一种电力变换器，其特征在于，所述电力变换器采用权利要求1-4任一项所述的碳化硅场效应管的控制电路，用于为变换器中的开关管提供驱动电压。