[发明专利]半导体装置和其形成方法

说明书

一种半导体装置和其形成方法，半导体装置包括从基板延伸的第一鳍片、在第一鳍片上且沿着第一鳍片的侧壁的第一栅极堆叠、沿着第一栅极堆叠的侧壁配置的第一栅极间隔物以及在第一鳍片中且邻近第一栅极间隔物的第一磊晶源极/漏极区域，第一磊晶源极/漏极区域的外表面在第一平面具有多于八个晶面，第一平面正交于基板的顶表面。

技术领域

本公开是关于半导体装置和其形成方法。

背景技术

半导体装置使用在多种电子产品中，例如个人计算机、手机、数字相机和其他电子设备。半导体装置的制造通常通过依序在半导体基板上方沉积绝缘层或介电层、导电层和半导体层的材料，并使用微影技术图案化多种材料层以在半导体基板上形成电路组件和元件。

半导体工业通过持续缩减最小特征尺寸以持续改善多种电子组件(例如晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，从而允许更多组件集成在给定区域中。

发明内容

根据本公开的实施例，提供一种半导体装置，包括从基板延伸的第一鳍片、在第一鳍片上且沿着第一鳍片的侧壁的第一栅极堆叠、沿着第一栅极堆叠的侧壁配置的第一栅极间隔物、在第一鳍片中且邻近第一栅极间隔物的第一磊晶源极/漏极区域，其中第一磊晶源极/漏极区域的外表面在第一平面具有多于八个晶面，第一平面正交于基板的顶表面。

根据本公开的实施例，提供一种形成半导体装置的方法，包括在从基板延伸的第一鳍片上和沿着第一鳍片的侧壁沉积第一虚拟栅极、沿着第一虚拟栅极的侧壁形成第一栅极间隔物、在邻近第一栅极间隔物的第一鳍片中形成第一凹槽，以及在第一凹槽中磊晶生长第一源极/漏极区域，第一源极/漏极区域的外表面在第一平面具有多于八个晶面，第一平面正交于基板的顶表面。

根据本公开的实施例，提供一种形成半导体装置的方法，包括在从基板向上延伸的第一鳍片上和沿着第一鳍片的侧壁形成第一虚拟栅极、沿着第一虚拟栅极的侧壁形成第一栅极间隔物、在邻近第一栅极间隔物的第一鳍片中蚀刻第一凹槽、以蚀刻剂前驱物对沉积前驱物的第一比例在第一凹槽中磊晶生长第一源极/漏极区域，以及以配置在第一鳍片上和沿着第一鳍片的侧壁的第一功能栅极堆叠替代第一虚拟栅极，其中第一比例在0.05/1至0.25/1的范围内。

附图说明

当结合附图阅读时，从以下详细描述中可以最好地理解本公开的各方面。应注意，根据工业中的标准方法，各种特征未按比例绘制。实际上，为了清楚地讨论，可任意增加或减少各种特征的尺寸。

图1根据一些实施例绘示鳍式场效应晶体管的示例的三维视图；

图2、图3、图4、图5、图6、图7、图8A、图8B、图9A、图9B、图10A、图10B、图10C、图10D、图11A、图11B、图11C、图12A、图12B、图13A、图13B、图14A、图14B、图15A、图15B、图15C、图16A、图16B、图17A、图17B和图17C是根据一些实施例的鳍式场效应晶体管制造中间阶段的截面图。

【符号说明】

50:基板

50N:n型区域

50P:p型区域

51:分隔物

52:鳍片

54:绝缘材料

56:隔离区域

58:通道区域

60:虚拟介电层

62:虚拟栅极层

64:遮罩层

72:虚拟栅极

74:遮罩

80:栅极封装间隔物