[发明专利]一种CdSeS幻数纳米团簇、其制备方法及其用途

权利要求书

1.一种CdSeS幻数纳米团簇，其特征在于：所述CdSeS幻数纳米团簇发射波长在445-460nm处，半峰宽小于15 nm；

所述CdSeS幻数纳米团簇通过如下方法制备：向CdSe诱导期样品中加入CdS诱导期样品，继续反应，即得；

所述继续反应的条件为升温至210-250°C反应10-40min；

所述CdSe诱导期样品和CdS诱导期样品中，Se与S的投料比为摩尔比5：（1-5）；

所述CdSe诱导期样品的制备包括如下步骤：

（1.1）将氧化镉、十四酸和十八烯混合；

（1.2）在真空条件下反应，反应温度为100-140°C，反应时间为20-40 min；

（1.3）在惰性气体保护下反应，反应温度为220-260°C，反应时间为2-4h；

（1.4）在真空条件下反应，反应温度为100-140°C，反应时间为30-60min，反应完成后，即得十四酸镉前驱体；

（1.5）将十四酸镉前驱体与硒加热至80-110°C，加入乙酸反应10-30min，得到CdSe诱导期样品；

所述CdS诱导期样品通过如下方法制备：

（a1）将氧化镉、油酸和十八烯混合；

（a2）在真空条件下反应，反应温度为100-140°C，反应时间为20-40min；

（a3）在惰性气体保护下反应，反应温度为220-260°C，反应时间为2-4h；

（a4）在抽气条件下反应，反应温度为120-140°C，反应时间为30-60min，反应完成后，即得油酸镉前驱体；

（a5）将油酸镉前驱体与硫在160-180°C下反应10-30 min，得到CdS诱导期样品。

2.权利要求1所述的CdSeS幻数纳米团簇的制备方法，其特征在于：包括：向CdSe诱导期样品中加入CdS诱导期样品，继续反应，得到CdSeS幻数纳米团簇；

所述继续反应的条件为升温至210-250°C反应10-40min；

所述CdSe诱导期样品和CdS诱导期样品中，Se与S的投料比为摩尔比5：（1-5）；

所述CdSe诱导期样品的制备包括如下步骤：

（1.1）将氧化镉、十四酸和十八烯混合；

（1.2）在真空条件下反应，反应温度为100-140°C，反应时间为20-40 min；

（1.3）在惰性气体保护下反应，反应温度为220-260°C，反应时间为2-4h；

（1.4）在真空条件下反应，反应温度为100-140°C，反应时间为30-60min，反应完成后，即得十四酸镉前驱体；

（1.5）将十四酸镉前驱体与硒加热至80-110°C，加入乙酸反应10-30min，得到CdSe诱导期样品；

所述CdS诱导期样品通过如下方法制备：

（a1）将氧化镉、油酸和十八烯混合；

（a2）在真空条件下反应，反应温度为100-140°C，反应时间为20-40min；

（a3）在惰性气体保护下反应，反应温度为220-260°C，反应时间为2-4h；

（a4）在抽气条件下反应，反应温度为120-140°C，反应时间为30-60min，反应完成后，即得油酸镉前驱体；

（a5）将油酸镉前驱体与硫在160-180°C下反应10-30 min，得到CdS诱导期样品。

3.按照权利要求2所述的制备方法，其特征在于：所述继续反应的条件为升温至230°C反应20min；

和/或，所述CdSe诱导期样品和CdS诱导期样品中，Se与S的投料比为摩尔比5：3。

4.按照权利要求2所述的制备方法，其特征在于：

步骤（1.2）的反应温度为120°C；

步骤（1.3）的反应温度为240°C；

步骤（1.4）的反应温度为120°C。