[发明专利]移位寄存器单元、驱动方法、栅极驱动电路及显示装置在审

专利信息
申请号: 202110280954.2 申请日: 2021-03-16
公开(公告)号: CN113053447A 公开(公告)日: 2021-06-29
发明(设计)人: 刘凤娟;宁策;刘威;谢蒂旎;卢昱行 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: G11C19/28 分类号: G11C19/28;G09G3/3266;G09G3/36
代理公司: 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 代理人: 杨广宇
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 移位寄存器 单元 驱动 方法 栅极 电路 显示装置
【权利要求书】:

1.一种移位寄存器单元,其特征在于,所述移位寄存器单元包括:

输入电路,所述输入电路分别与输入信号端、输入控制端、第一电源端、参考节点和第一节点耦接;所述输入电路用于响应于所述输入信号端提供的输入信号和所述输入控制端提供的输入控制信号,向所述参考节点传输所述第一电源端提供的第一电源信号,以及响应于所述输入信号,向所述第一节点传输所述第一电源信号;

补偿控制电路,所述补偿控制电路分别与第一时钟信号端、所述参考节点和所述第一节点耦接;所述补偿控制电路用于响应于所述第一时钟信号端提供的第一时钟信号,基于所述参考节点的电位调节所述第一节点的电位;

输出电路,所述输出电路分别与所述第一节点、第二时钟信号端和输出端耦接;所述输出电路用于响应于所述第一节点的电位,向所述输出端传输所述第二时钟信号端提供的第二时钟信号。

2.根据权利要求1所述的移位寄存器单元,其特征在于,所述输入电路包括的晶体管、所述补偿控制电路包括的晶体管和所述输出电路包括的晶体管中,至少一个晶体管具有相互耦接的顶栅和底栅。

3.根据权利要求1所述的移位寄存器单元,其特征在于,所述输入电路包括的晶体管、所述补偿控制电路包括的晶体管和所述输出电路包括的晶体管中,至少一个晶体管具有目标金属,且所述目标金属与源极耦接。

4.根据权利要求1至3任一所述的移位寄存器单元,其特征在于,所述输入电路包括:第一输入子电路和第二输入子电路;

所述第一输入子电路分别与所述输入信号端、所述输入控制端、所述第一电源端和所述参考节点耦接;所述第一输入子电路用于响应于所述输入信号和所述输入控制信号,向所述参考节点传输所述第一电源信号;

所述第二输入子电路分别与所述输入信号端、所述第一电源端和所述第一节点耦接;所述第二输入子电路用于响应于所述输入信号,向所述第一节点传输所述第一电源信号。

5.根据权利要求4所述的移位寄存器单元,其特征在于,所述第一输入子电路包括:第一输入晶体管和第二输入晶体管;所述第二输入子电路包括:第三输入晶体管;

所述第一输入晶体管的栅极与所述输入信号端耦接,所述第一输入晶体管的第一极与所述第一电源端耦接,所述第一输入晶体管的第二极与所述第二输入晶体管的第一极耦接;

所述第二输入晶体管的栅极与所述输入控制端耦接,所述第二输入晶体管的第二极与所述参考节点耦接;

所述第三输入晶体管的栅极与所述输入信号端耦接,所述第三输入晶体管的第一极与所述第一电源端耦接,所述第三输入晶体管的第二极与所述第一节点耦接。

6.根据权利要求1至3任一所述的移位寄存器单元,其特征在于,所述补偿控制电路包括:补偿控制晶体管;

所述补偿控制晶体管的栅极与所述第一时钟信号端耦接,所述补偿控制晶体管的第一极与所述参考节点耦接,所述补偿控制晶体管的第二极与所述第一节点耦接。

7.根据权利要求1至3任一所述的移位寄存器单元,其特征在于,所述移位寄存器单元还包括:电位存储电路;

所述电位存储电路分别与所述参考节点和第二电源端耦接;所述电位存储电路用于在所述参考节点的电位和所述第二电源端提供的第二电源信号的控制下,存储所述参考节点的电位。

8.根据权利要求7所述的移位寄存器单元,其特征在于,所述电位存储电路包括:存储电容;

所述存储电容的一端与所述参考节点耦接,所述存储电容的另一端与所述第二电源端耦接。

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