[发明专利]像素和有机发光显示装置

权利要求书

1.一种像素，其中，所述像素包括：

有机发光二极管；

第一晶体管，所述第一晶体管响应于施加到第一节点的电压接收信号，并且控制从电连接到电源电压线的第二节点流到所述有机发光二极管的电流的量；

第四晶体管，所述第四晶体管电连接在所述第一节点和第一初始化电压线之间；以及

偏置电容器，所述偏置电容器电连接在所述第二节点和发光控制线之间，所述偏置电容器包括第一电容器电极和第二电容器电极，其中，

所述偏置电容器的所述第一电容器电极和所述第一晶体管的半导体层设置在相同的层上，并且

所述偏置电容器的所述第二电容器电极和被包括在所述第四晶体管的栅极电极中的第二部分设置在相同的层上。

2.根据权利要求1所述的像素，其中，所述像素还包括：

第二晶体管，所述第二晶体管电连接在所述第二节点和数据线之间，并且通过扫描信号导通，

其中，所述第二电容器电极设置在与所述第二晶体管的栅极电极重叠的层上方。

3.根据权利要求1所述的像素，其中，

所述第四晶体管的所述栅极电极包括被定位在所述第二部分下方的第一部分，并且

所述第一部分和所述第一晶体管的栅极电极设置在相同的层上。

4.根据权利要求3所述的像素，其中，

所述第一晶体管的所述栅极电极设置在所述第一晶体管的所述半导体层上方，并且

所述第一部分设置在与所述第一晶体管的所述栅极电极重叠的层上。

5.根据权利要求3所述的像素，其中，

所述第一晶体管的所述栅极电极设置在所述第一晶体管的所述半导体层上方，

所述第一部分被定位在与所述第一晶体管的所述栅极电极重叠的层上，

所述第四晶体管的半导体层设置在所述第一部分上方，并且

所述第二电容器电极设置在与所述第四晶体管的所述半导体层重叠的层上。

6.根据权利要求5所述的像素，其中，

所述第一晶体管的所述半导体层包括硅半导体，并且

所述第四晶体管的所述半导体层包括氧化物半导体。

7.根据权利要求1所述的像素，其中，所述像素还包括：

第六晶体管，所述第六晶体管电连接在所述第一晶体管和所述有机发光二极管之间，并且通过施加到所述发光控制线的发光控制信号导通。

8.根据权利要求7所述的像素，其中，所述像素还包括：

第七晶体管，所述第七晶体管电连接在所述第六晶体管和第二初始化电压线之间，

其中，所述第二电容器电极和被包括在所述第七晶体管的栅极电极中的第四部分一体地形成为单个整体。

9.根据权利要求8所述的像素，其中，

所述第七晶体管的所述栅极电极包括被定位在所述第四部分下方的第三部分，

所述第三部分和所述第一晶体管的所述栅极电极设置在相同的层上，

所述第一晶体管的所述栅极电极设置在所述第一晶体管的所述半导体层上方，

所述第三部分被定位在与所述第一晶体管的所述栅极电极重叠的层上，

所述第七晶体管的半导体层设置在所述第三部分上方，并且

所述第二电容器电极设置在与所述第七晶体管的所述半导体层重叠的层上。

10.根据权利要求1所述的像素，其中，所述像素还包括：

存储电容器，所述存储电容器电连接在所述第一节点和所述电源电压线之间，其中，

所述存储电容器的第三电容器电极和所述第一晶体管的第一栅极电极一体地形成为单个整体，

所述存储电容器的第四电容器电极设置在所述第三电容器电极上方，

所述第二电容器电极设置在与所述第四电容器电极重叠的层上，并且

所述第二电容器电极的一部分与所述第四电容器电极的一部分重叠。