[发明专利]发光二极管外延片制备方法

说明书

本公开提供了发光二极管外延片制备方法，属于发光二极管制作领域。在衬底上生长叠氮化铷层，叠氮化铷层具有部分金属反光特性，更多的光线从p型层的一侧出射，提高发光二极管的发光效率。叠氮化铷层本身也起到一定的过渡作用，发光二极管外延片的底层质量也不会很差，保证最终得到的发光二极管外延片的质量。同时叠氮化铷层上具有多个相互间隔的且延伸至衬底表面的凹槽，凹槽之间的叠氮化铷层起到间隔与阻挡位错作用，使得叠氮化铷层上生长的外延膜层在凹槽内快速沉积生长，且质量也较好，提高最终得到的发光二极管外延片质量的同时有效提高发光二极管外延片的发光效率。

技术领域

本公开涉及发光二极管制作领域，特别涉及发光二极管外延片制备方法。

背景技术

发光二极管是一种能发光的半导体电子元件。作为一种高效、环保、绿色新型固态照明光源，正在被迅速广泛地得到应用，如交通信号灯、汽车内外灯、城市景观照明、手机背光源等，提高芯片发光效率是发光二极管不断追求的目标。

发光二极管外延片则是用于制备发光二极管的基础结构，发光二极管外延片至少包括衬底及在衬底上依次层叠的n型层、多量子阱层及p型层。发光二极管的多量子阱层在发光时，部分光线也会从衬底出射而不是从p型层所在的出光面出射，会导致发光二极管的发光效率不够理想。

发明内容

本公开实施例提供了发光二极管外延片制备方法，能够保证发光二极管外延片质量的同时提高发光二极管外延片的发光效率。所述技术方案如下：

本公开实施例提供了一种发光二极管外延片制备方法，所述发光二极管外延片包括衬底及依次层叠在所述衬底上的叠氮化铷层、n型层、多量子阱层及p型层，

所述叠氮化铷层上具有多个相互间隔的且延伸至所述衬底表面的凹槽。

可选地，所述叠氮化铷层的厚度为900～2500nm。

可选地，所述衬底与所述叠氮化铷层的总高度为1000～3500nm。

可选地，所述衬底的表面具有与所述多个凹槽一一对应的凹坑，所述凹坑的深度为1000～3500nm。

可选地，所述凹槽的深度为100～100nm。

本公开实施例提供了一种发光二极管外延片制备方法，所述发光二极管外延片制备方法包括：

提供一衬底；

在所述衬底上生长叠氮化铷层，所述叠氮化铷层上具有多个相互间隔的且延伸至所述衬底表面的凹槽；

在所述叠氮化铷层上生长n型层；

在所述n型层上生长多量子阱层；

在所述多量子阱层上生长p型层。

可选地，所述在所述衬底上生长叠氮化铷层，包括：

在第一温度下生长叠氮化铷成核层；

在第二温度下，在所述叠氮化铷成核层上生长叠氮化铷缓冲层，所述第二温度高于所述第一温度；

在所述叠氮化铷缓冲层与所述叠氮化铷成核层上形成多个延伸至所述衬底的凹槽，以形成所述叠氮化铷层。

可选地，所述第一温度为250～350℃，所述第二温度为350～400℃。

可选地，所述叠氮化铷成核层的厚度与所述叠氮化铷缓冲层的厚度之比为1:44～1:6。

可选地，所述叠氮化铷成核层的厚度为100～200nm，所述叠氮化铷缓冲层的厚度为1200～4400nm。

本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果是：