[发明专利]一种化学机械研磨方法及其分析系统

权利要求书

1.一种化学机械研磨方法，其特征在于，其至少包括以下步骤：

提供一目标晶圆；

获得所述目标晶圆上不同区域的研磨量及研磨垫上对应所述目标晶圆上不同区域的研磨速率，获得所述目标晶圆上不同区域的研磨量的方法包括：

在所述目标晶圆上的不同区域内根据对应研磨垫上研磨垫整流器划过的轨迹采集多个待检测点；

获得所述多个待检测点的当前厚度值及目标厚度值；

所述目标晶圆上任一区域的研磨量为此区域内待检测点的目标厚度值与当前厚度值的差值；

建立研磨垫整流器的速率修正模型，所述研磨垫整流器的速率修正模型为：V=L*C*K/(T*B)，其中，V为研磨垫整流器的移动速率；L为研磨垫整流器的移动距离；B为晶圆每个区域内研磨速率占晶圆上所有区域内的研磨速率的比重；T为研磨垫整流器移动所需的基准时间；C为晶圆每个区域内的研磨量占晶圆上所有区域内的研磨量的比重；K为常系数，用于在不同情形下平衡C和B的关系；

根据所述修正模型，获得实时调整的研磨垫对所述目标晶圆上不同区域的当前研磨速率。

2.根据权利要求1所述一种化学机械研磨方法，其特征在于，所述研磨垫对所述目标晶圆的研磨速率与所述研磨垫整流器对对应位置的研磨垫的打磨速率成正比。

3.根据权利要求1所述一种化学机械研磨方法，其特征在于，所述目标晶圆上的不同区域包括以所述目标晶圆的圆心为中心的中心圆区域，及由所述中心圆区域向外辐射的多个同心圆环区域。

4.根据权利要求3所述一种化学机械研磨方法，其特征在于，所述研磨垫整流器在所述研磨垫上划过的轨迹为经过所述研磨垫上对应于所述目标晶圆的所述中心圆区域的弧形轨迹。

5.根据权利要求2所述一种化学机械研磨方法，其特征在于，研磨速率与所述研磨垫整流器打磨研磨垫的时间呈反比。

6.根据权利要求1所述一种化学机械研磨方法，其特征在于，通过测机或前批产品的量测结果得到晶圆上不同区域的研磨速率。

7.采用如权利要求1至6中任一项所述的化学机械研磨方法获得的化学机械研磨分析系统，其特征在于，其包括：

数据采集单元，其用于采集数据；

数据建模单元，其与所述数据采集单元连接，用于建立研磨垫整流器的速率修正模型，所述研磨垫整流器的速率修正模型为：V=L*C*K/(T*B)，其中，V为研磨垫整流器的移动速率；L为研磨垫整流器的移动距离；B为晶圆每个区域内研磨速率占晶圆上所有区域内的研磨速率的比重；T为研磨垫整流器移动所需的基准时间；C为晶圆每个区域内的研磨量占晶圆上所有区域内的研磨量的比重；K为常系数，用于在不同情形下平衡C和B的关系；

数据输出单元，其与所述数据建模单元连接，用于根据所述修正模型，实时输出调整后的研磨垫对目标晶圆上不同区域的当前研磨速率。