[发明专利]一种避免阴极断裂的PDL的制备方法在审
申请号: | 202110281680.9 | 申请日: | 2021-03-16 |
公开(公告)号: | CN113054148A | 公开(公告)日: | 2021-06-29 |
发明(设计)人: | 任艳刚;刘胜芳;韩旭 | 申请(专利权)人: | 安徽熙泰智能科技有限公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56 |
代理公司: | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 | 代理人: | 尹婷婷 |
地址: | 241000 安徽省芜湖市芜湖长江*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 避免 阴极 断裂 pdl 制备 方法 | ||
1.一种避免阴极断裂的PDL的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)在间隔设有阳极膜层的CMOS基板上进行PDL成膜,得到第一基板;
(2)在所述第一基板的阳极膜层之间的PDL膜层上涂覆光刻胶,并进行曝光显影,得到第二基板;
(3)对所述第二基板进行干法刻蚀除去阳极膜层表面的PDL膜层,得到第三基板;
(4)对所述第三基板进行清洗,去除光刻胶,可得到阳极膜层与PDL膜层紧密贴合交替布置的CMOS基板。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述成膜的厚度可小于、等于或者大于阳极膜层的厚度。
3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)中,所述成膜的厚度为40-150nm。
4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述步骤(1)之前包括对间隔设有阳极膜层的CMOS基板进行清洗的步骤。
5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述PDL膜层的材料为SiNx。
6.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)中,在CMOS基板上进行阳极成膜、涂覆光刻胶、曝光显影、干法刻蚀得到间隔设有阳极膜层的CMOS基板。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于安徽熙泰智能科技有限公司,未经安徽熙泰智能科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110281680.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择