[发明专利]一种避免阴极断裂的PDL的制备方法在审

专利信息
申请号: 202110281680.9 申请日: 2021-03-16
公开(公告)号: CN113054148A 公开(公告)日: 2021-06-29
发明(设计)人: 任艳刚;刘胜芳;韩旭 申请(专利权)人: 安徽熙泰智能科技有限公司
主分类号: H01L51/56 分类号: H01L51/56
代理公司: 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 代理人: 尹婷婷
地址: 241000 安徽省芜湖市芜湖长江*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 避免 阴极 断裂 pdl 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种避免阴极断裂的PDL的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

(1)在间隔设有阳极膜层的CMOS基板上进行PDL成膜,得到第一基板;

(2)在所述第一基板的阳极膜层之间的PDL膜层上涂覆光刻胶,并进行曝光显影,得到第二基板;

(3)对所述第二基板进行干法刻蚀除去阳极膜层表面的PDL膜层,得到第三基板;

(4)对所述第三基板进行清洗,去除光刻胶,可得到阳极膜层与PDL膜层紧密贴合交替布置的CMOS基板。

2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述成膜的厚度可小于、等于或者大于阳极膜层的厚度。

3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)中,所述成膜的厚度为40-150nm。

4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述步骤(1)之前包括对间隔设有阳极膜层的CMOS基板进行清洗的步骤。

5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述PDL膜层的材料为SiNx

6.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)中,在CMOS基板上进行阳极成膜、涂覆光刻胶、曝光显影、干法刻蚀得到间隔设有阳极膜层的CMOS基板。

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